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MOSFET

CSD87381P

正在供货

采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 15 Power loss (W) 1 Ploss current (A) 8 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type Power block Configuration PowerBlock ID - continuous drain current at TA=25°C (A) 15 Power loss (W) 1 Ploss current (A) 8 Features Power supply Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PTAB (MPC) 5 7.5 mm² 3 x 2.5
  • 半桥电源块
  • 10A 电流下的系统效率达 90%
  • 工作电流高达 15A
  • 高密度 - 3mm × 2.5mm 接合栅格阵列封装 (LGA) 尺寸
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅

应用范围

  • 同步降压转换器
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 半桥电源块
  • 10A 电流下的系统效率达 90%
  • 工作电流高达 15A
  • 高密度 - 3mm × 2.5mm 接合栅格阵列封装 (LGA) 尺寸
  • 双侧冷却能力
  • 超薄 - 最大厚度为 0.48mm
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低开关损耗
  • 低电感封装
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 无铅

应用范围

  • 同步降压转换器
    • 高电流、低占空比应用
  • 多相位同步降压转换器
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器

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此 CSD87381P NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器配套使用时，可提供一个高密度电源。

此 CSD87381P NexFET 电源块 II 是针对同步降压应用的高度优化设计，能够在 3mm × 2.5mm 的小外形尺寸封装内提供大电流和高效率。 针对 5V 栅极驱动应用进行了优化，这款产品可提供高效且灵活的解决方案，在与外部控制器/驱动器的任一 5V 栅极驱动器配套使用时，可提供一个高密度电源。

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用户指南 CSD87381PEVM-603 User's Guide (Rev. A) 2014年 2月 6日
设计指南 Design Summary Power Block II 2013年 4月 15日

设计和开发

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仿真模型

CSD87381P Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM069B.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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计算工具

SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
MOSFET
CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS — 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS — 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD86330Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86350Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86356Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86360Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87330Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87331Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87333Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87335Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87350Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351ZQ5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87352Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87355Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87381P — 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87384M — 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87502Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87588N — 采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND — 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND — 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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计算工具

SYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Boost Converter

MOSFET power loss calculator for synchronous boost converter applications.

支持的产品和硬件

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产品
MOSFET
CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS — 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS — 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD86330Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86350Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86356Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86360Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87330Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87331Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87333Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87335Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87350Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351ZQ5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87352Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87355Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87381P — 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87384M — 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87502Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87588N — 采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND — 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND — 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支持的产品和硬件

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MOSFET
CSD13201W10 — 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单通道、34mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13202Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、9.3mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13302W — 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13303W1015 — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单通道、20mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13306W — 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13383F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD13385F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15380F3 — 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、1460mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD15571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、19.2mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16321Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16322Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16323Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16325Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16327Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16340Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16342Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16401Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16403Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.7mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16404Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、7.2mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16406Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、7.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16407Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.3mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16408Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16409Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、12.4mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16410Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、12mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16411Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单通道、15mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16412Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、16mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16413Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、5.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16414Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16415Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD16570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.82mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17301Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17302Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17303Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17304Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17305Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17306Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17307Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17308Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17309Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17310Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17311Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17312Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、32mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17313Q2Q1 — 汽车级 30V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17318Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17322Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、12.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17327Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17381F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17382F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、67mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17483F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17484F4 — 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17505Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17506Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17507Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17510Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17522Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17527Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17551Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17552Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17553Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17555Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17556Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17559Q5 — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17570Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17571Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17573Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.45mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17575Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17576Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17577Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17578Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17579Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17581Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD17585F5 — 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18501Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4.5mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18503Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504KCS — 采用 TO-220 封装的单路、7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18504Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18509Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.2mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KCS — 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18510Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18511Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.3mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18512Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18513Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.4mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18514Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.9mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532NQ5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、3.4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533KCS — 采用 TO-220 封装的单路、6.3mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534KCS — 采用 TO-220 封装的单路、9.5mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18535KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KCS — 采用 TO-220 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18536KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NKCS — 采用 TO-220 封装的单通道、14mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18537NQ5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18540Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18541F5 — 采用 1.5mm x 0.8mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、65mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KCS — 采用 TO-220 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18542KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、4mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18543Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.9mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD18563Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19501KCS — 采用 TO-220 封装的单路、6.6mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19502Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19503KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、9.2mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KCS — 采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19505KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19506KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、7.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19531Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、5.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19532Q5B — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533KCS — 采用 TO-220 封装的单通道、10.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19533Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534KCS — 采用 TO-220 封装的单路、16.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19534Q5A — 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KCS — 采用 TO-220 封装的单路、3.6mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19535KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KCS — 采用 TO-220 封装的单路、2.7mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19536KTT — 采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19537Q3 — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、14.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、59mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD19538Q3A — 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD83325L — 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、5.9mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85301Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、27mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85302L — 采用 1.35mm x 1.35mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、24mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD85312Q3E — 采用 3mm x 3mm SON 封装的双通道共源极、14mΩ、20V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD86311W1723 — 采用 1.7mm x 2.3mm WLP 封装的双通道共源极、42mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD86330Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86336Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86350Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86356Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD86360Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87312Q3E — 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、38mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87313DMS — 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87330Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87331Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87333Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87334Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87335Q3D — 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87350Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87351ZQ5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 32A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87352Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87353Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87355Q5D — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 45A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块 CSD87381P — 采用 3mm x 2.5mm LGA 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87384M — 采用 5mm x 3.5mm LGA 封装的 30A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87501L — 采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87502Q2 — 采用 2mm x 2mm SON 封装、具有栅极 ESD 保护的双路、42mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87503Q3E — 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD87588N — 采用 5mm x 2.5mm LGA 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88537ND — 采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88539ND — 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET CSD88584Q5DC — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块 CSD88599Q5DC — 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
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参考设计

PMP8962 — 12V 输入紧凑型双路 5V/5.5A 负载点参考设计（采用 NexFET 电源块 II）

PMP8962 是一种尺寸为 0.63 英寸 x 0.74 英寸的紧凑型双 5.5A POL 解决方案。它展现了 CSD87381P 电源块 II 的高效率和优秀热性能。它具有可编程频率、软启动、外部补偿、可调电流限制和 OCP/OVP/OTP 特性。它适用于高密度低电流电源轨。
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参考设计

PMP22165 — 适用于 Xilinx 通用自适应计算加速平台 (ACAP) 的电源参考设计

此参考设计满足 Xilinx Versal 自适应计算加速平台 (ACAP) 要求，包括适用于系统电源轨的电源管理集成电路 (PMIC) 以及多相控制器和功率级，从而支持更高的电流处理器负载。关键输出的板载动态负载可通过测试，符合 Xilinx 严苛的功率要求。PMP22165 及 TPS53681 EVM 是一款经过测试的解决方案，具有出色的性能和组件，可满足处理器要求，适用于 Versal 的常见用例一和三。
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参考设计

TIDA-01393 — 适用于 Xilinx® Zynq® UltraScale+™ MPSoC 应用的电源参考设计

此参考设计是一个可配置的电源解决方案，设计用于在各种用例中为 Xilinx® Zynq® UltraScale+ (ZU+) 全系列 MPSoC 器件供电。

TPS65086x PMIC 拥有各种版本，因而此设计能够为从具有双核 Arm® Cortex®-A53 应用处理器和双核 Arm Cortex-R5 实时处理器的基本 ZU2CG 器件到更高端的 ZU7EV、ZU19EG 和 ZU21DR 器件供电，这些器件可向 MPSoC 添加其他组件，例如图形处理单元、视频编解码器单元以及多达 16 个 16.3Gbps 收发器。

此设计包括众多其他可与 TPS65086x (...)

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参考设计

PMP21440 — 对比：0.8V/8W GaN 与硅质电源参考设计

该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381（对于硅电源）和采用 EPC2111 的 LMG1210（对于 GaN 电源），以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较，以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PTAB (MPC) 5 Ultra Librarian
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推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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