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CSD18537NQ5A

正在供货

采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 13 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 54 ID - package limited (A) 50 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 60 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 13 VGSTH typ (typ) (V) 3 QG (typ) (nC) 14 QGD (typ) (nC) 2.3 QGS (typ) (nC) 4.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 54 ID - package limited (A) 50 Logic level No Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DQJ) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 高侧同步降压转换器
  • 电机控制
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 高侧同步降压转换器
  • 电机控制

这款 10mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 2.1°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100µs，占空比
≤ 1%

这款 10mΩ，60V，SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。

顶视图 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值
。最大 RθJC = 2.1°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100µs，占空比
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

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用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

CSD18537NQ5A TINA-TI Spice Model

SLPM226.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
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仿真模型

CSD18537NQ5A Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM185A.ZIP (5 KB) - PSpice Model
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VSONP (DQJ) 8 Ultra Librarian
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