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UCC27611

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具有 4V UVLO 和 5V 稳压输出的 4A/6A 单通道栅极驱动器

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UCC27611

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产品详情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Regulated gate driver voltage, Split Output Operating temperature range (°C) -40 to 140 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 4 Propagation delay time (µs) 0.014 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Low Side
WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • 增强模式氮化镓场效应晶体管 (FET) (eGANFET)
  • 4V 到 18V 单电源供电电压范围
  • 5V的驱动电压 VREF
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
  • 1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻（最大限度提升对高转换率 dV 和 dt 的抗扰度）
  • 分离输出配置（可实现针对各个 FET 的导通和关断优化）
  • 传输延迟小（典型值为 14ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值分别为 9ns 和 5ns）
  • TTL 和 CMOS 兼容输入（不受电源电压影响，很容易连接至数字和模拟控制器）
  • 双输入设计实现了灵活驱动（反相配置和同相配置均受支持）
  • 当输入悬空时输出保持在低电平
  • VDD 欠压锁定 (UVLO)
  • 采用与 eGANFET 兼容的优化引脚分布，方便进行布局布线
  • 具有外露散热焊盘和接地焊盘的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸无引线 (SON)-6 封装（最大限度降低寄生电感以减少栅极振铃）
  • 工作温度范围：-40°C 至 140°C
  • 增强模式氮化镓场效应晶体管 (FET) (eGANFET)
  • 4V 到 18V 单电源供电电压范围
  • 5V的驱动电压 VREF
  • 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动
  • 1Ω 和 0.35Ω 上拉和下拉电阻（最大限度提升对高转换率 dV 和 dt 的抗扰度）
  • 分离输出配置（可实现针对各个 FET 的导通和关断优化）
  • 传输延迟小（典型值为 14ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值分别为 9ns 和 5ns）
  • TTL 和 CMOS 兼容输入（不受电源电压影响，很容易连接至数字和模拟控制器）
  • 双输入设计实现了灵活驱动（反相配置和同相配置均受支持）
  • 当输入悬空时输出保持在低电平
  • VDD 欠压锁定 (UVLO)
  • 采用与 eGANFET 兼容的优化引脚分布，方便进行布局布线
  • 具有外露散热焊盘和接地焊盘的 2.00mm × 2.00mm 小外形尺寸无引线 (SON)-6 封装（最大限度降低寄生电感以减少栅极振铃）
  • 工作温度范围：-40°C 至 140°C

UCC27611 是一款针对 5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 被内部线性稳压器精确稳压至 5V。UCC27611 提供 4A 拉电流和 6A 灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置，可根据 FET 优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。1Ω 和 0.35Ω 电阻提升了针对高转换率 dV 和 dt 所致硬开关的抗扰度。

不受 VDD 输入信号阈值的影响确保了 TTL 和 CMOS 低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF 引脚上的内部电路具有欠压锁定功能，可在 VREF 电源电压处于工作范围内之前，将输出保持在低电平。UCC27611 采用具有外部散热焊盘和接地焊盘的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封装 (DRV)，提升了封装功率处理能力。UCC27611 运行在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内。

UCC27611 是一款针对 5V 驱动而进行优化的单通道、高速、栅极驱动器，它专门用来对增强模式 GaN FET 进行寻址。驱动电压 VREF 被内部线性稳压器精确稳压至 5V。UCC27611 提供 4A 拉电流和 6A 灌电流的非对称轨到轨峰值电流驱动能力。凭借分离输出配置，可根据 FET 优化其导通和关断时间。具有最低寄生电感的封装和引脚分配减少了上升和下降时间并限制了振铃。此外，具有最小容差和变化的短传播延迟可实现高频时的有效运行。1Ω 和 0.35Ω 电阻提升了针对高转换率 dV 和 dt 所致硬开关的抗扰度。

不受 VDD 输入信号阈值的影响确保了 TTL 和 CMOS 低压逻辑兼容性。出于安全方面的考虑，当输入引脚处于悬空状态时，内部输出上拉和下拉电阻将输出保持在低电平。VREF 引脚上的内部电路具有欠压锁定功能，可在 VREF 电源电压处于工作范围内之前，将输出保持在低电平。UCC27611 采用具有外部散热焊盘和接地焊盘的小型 2.00mm × 2.00mm SON-6 封装 (DRV)，提升了封装功率处理能力。UCC27611 运行在 –40°C 至 140°C 的宽温度范围内。
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设计和开发

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用户指南: PDF
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仿真模型

UCC27611 PSpice Transient Model (Rev. C)

SLUM339C.ZIP (45 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC27611 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. E)

SLUM362E.TSC (761 KB) - TINA-TI Reference Design
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仿真模型

UCC27611 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. B)

SLUM363B.ZIP (5 KB) - TINA-TI Spice Model
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UCC27611 Unencrypted PSpice Transient Model (Rev. B)

SLUM487B.ZIP (2 KB) - PSpice Model
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计算工具

SLURB16 — UCC27611 Schematic Review Template

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

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低侧驱动器
UCC27611 — 具有 4V UVLO 和 5V 稳压输出的 4A/6A 单通道栅极驱动器
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PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。

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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DRV) 6 Ultra Librarian
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