TPS50601A-SP
- 5962-10221:
- 耐辐射高达 100krad (Si) TID
- 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS) 100 krad (Si) – 10mrad(Si)/s
- 单粒子锁定 (SEL) 对于
LET 的抗扰度 = 75MeV-cm2/mg - SEB 和 SEGR 抗扰度可达到 75MeV-cm2/mg,提供 SOA 曲线
- 提供 SET/SEFI 横截面图
- 峰值效率:96.6% (VO = 3.3V)
- 集成了 58mΩ/50mΩ MOSFET
- 电源轨:3 至 7V(输入电压)
- 6A 最大输出电流
- 灵活的开关频率选项:
- 100kHz 至 1MHz 可调内部振荡器
- 外部同步功能的频率范围:100kHz 至 1MHz
- 可针对主/从应用将同步引脚配置为 500kHz
- 0.804V ±1.5% 的电压基准过热、辐射以及线路和负载调节
- 单调启动至预偏置输出
- 通过外部电容器进行可调节的软启动
- 用于电源定序的输入使能和电源正常输出
- 针对欠压和过压问题的电源正常输出监控
- 可调节输入欠压锁定 (UVLO)
- 20 引脚超小型耐热增强型陶瓷扁平封装 (HKH),适用于太空 应用
TPS50601A-SP 是一款耐辐射的 7V、6A 同步降压转换器,此转换器具有高效率并集成了高侧和低侧 MOSFET,因此非常适合小型设计。通过电流模式控制减少组件数量,并通过高开关频率缩小电感器封装尺寸,从而进一步节省空间。此器件采用超小尺寸的热增强型 20 引脚陶瓷扁平封装。
输出电压启动斜坡由 SS/TR 引脚控制,可实现独立电源运行,或者跟踪状态下的运行。此外,正确配置启用与开漏电源正常引脚也可实现电源排序。此外,TPS50601A-SP 可配置为主/从模式,从而提供高达 12A 的输出电流。
高侧 FET 的逐周期电流限制可在过载情况下保护器件,并通过低侧电源限流防止电流失控,从而实现功能增强。此外,还提供可关闭低侧 MOSFET 的低侧吸收电流限值,以防止过多的反向电流。当芯片温度超过热关断温度时,热关断禁用此器件。
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