LM74610-Q1

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，可广泛应用于汽车领域。DRV824x-Q1 器件可配置为单路 H 桥驱动器、两个独立的半桥驱动器。这款采用紧凑封装的单片芯片器件采用德州仪器 (TI) 专有的大功率 BiCMOS 工艺技术节点设计，可提供出色的电源处理和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。DRV824x-Q1 具有相同的引脚功能和寄存器映射，利用可扩展电阻（电流能力）支持不同的负载，可更大程度减少设计改动。

该器件集成了 N (...)

DRV824x-Q1 器件系列是完全集成式 H 桥驱动器，可广泛应用于汽车领域。DRV824x-Q1 器件可配置为单路 H 桥驱动器、两个独立的半桥驱动器。这款采用紧凑封装的单片芯片器件采用德州仪器 (TI) 专有的大功率 BiCMOS 工艺技术节点设计，可提供出色的电源处理和热性能，不仅封装尺寸小巧、易于布局，还可提供 EMI 控制、精确的电流检测和诊断功能，稳健性较高。DRV824x-Q1 具有相同的引脚功能和寄存器映射，利用可扩展电阻（电流能力）支持不同的负载，可更大程度减少设计改动。

该器件集成了 N (...)

LM74610-DQEVM 评估模块展示了二极管 OR-ing 配置中用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，两个 LM74610 智能二极管控制器用于驱动两个 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET。LM74610-DQEVM 与两个单独的电压轨或电源串联时，可模拟理想二极管 OR-ing 的属性。此 OR-ing 控制器可使 MOSFET 替换电源分配网络中的二极管整流器，从而降低功率损耗和压降。在任何输入中感应到负电压时，LM74610 拉下 MOSFET (...)

LM74610-SQEVM 评估模块展示了可用于取代肖特基二极管和 P 通道 MOSFET 的反极性保护解决方案。在此反极性保护解决方案中，LM74610 智能二极管控制器用于为 40V (VDS) 外部 N 通道 MOSFET 提供栅极驱动。LM74610-SQEVM 与电源串联时模拟理想的二极管属性。在输入中感应到负电压时，LM74610 拉下 MOSFET 栅极并将连接的负载与电源隔离。TVS 电压钳位二极管 D1_1 和 D1_2 负责保护 LM74610-SQEVM 的安全以便进行 ISO7637 瞬态脉冲测试。