PMP5123

"8V-36V Input 12V/7A; 93% Efficient Active Clamp Forward

PMP5123

设计文件

概述

此参考设计可从 8V 至 36V 直流输入生成隔离式 12V/7A 输出。UCC2897A 可控制有源钳位正向转换器功率级。CSD19533Q5A 和 CSD19534Q5A 的低栅极和低导通电阻使此设计的最大负荷效率超过 93%,峰值效率超过 94%。紧凑型 UCC27511 驱动器可为同步整流器简化栅极驱动电路。

特性
  • 高效率(峰值超过 94%)
  • 小尺寸,最大组件高度低于 0.5 英寸 (12.5mm)
  • 自驱动同步整流器可降低驱动复杂性
输出电压选项 PMP5123.1
Vin (Min) (V) 8
Vin (Max) (V) 36
Vout (Nom) (V) 12
Iout (Max) (A) 7
Output Power (W) 84
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Forward- Active Clamp^Forward- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

SLUU822A.PDF (2834 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

SLUR783A.PDF (179 K)

设计布局和元件的详细原理图

SLUR784A.PDF (81 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRCH5A.PDF (84 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRCH6A.PDF (431 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD19533Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、9.5mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD19534Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、15.1mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

UCC2897A具有 P 沟道钳位 FET 和线路过压保护的 110V 有源钳位电流模式 PWM 控制器

数据表: PDF | HTML
低侧驱动器

UCC27511具有 5V UVLO、分离输出和 13ns 传播延迟的 4A/8A 单通道栅极驱动器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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类型 标题 下载最新的英文版本 日期
测试报告 PMP5123 Test Results (Rev. A) 2015年 6月 3日

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