PMP11536

具有输入快速充电器的 USB-C DFP + 5V2A 移动电源参考设计

PMP11536

设计文件

概述

PMP11536 是一种移动电源参考设计,配有 USB C 型 DFP 以及采用 Maxcharger 升压模式的 USB A 型端口。还支持快速充电输入,以节省更多充电时间。它可以自动检测输入端口和输出端口的连接/断开活动。

特性
  • 在 5V/3A 时支持 C 型 DFP
  • 支持快速充电输入
  • 自动连接/断开检测
  • 高放电电流
  • 针对 OTG 输出的硬件和软件过压保护
  • 小尺寸:71.5mm x 18mm
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUB24.PDF (803 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRIO8.PDF (299 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRIO9.PDF (84 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRIP0.ZIP (706 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

AC/DC 和 DC/DC 转换器(集成 FET)

TPS61235P8A 谷值电流、5.1V 固定输出电压同步升压转换器

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MOSFET

CSD16301Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、29mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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MOSFET

CSD17483F4采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、260mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD25310Q2采用 2mm x 2mm SON 封装的单通道、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD87501L采用 LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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MSP430 微控制器

MSP430G2332具有 4KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU

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USB Type-C 和 USB 电力传输 IC

TPS25810具有 VCONN 的 USB Type-C® 电源控制器和 3A 电源开关

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USB 电源开关和充电端口控制器

TPS2514AUSB 专用充电端口控制器 - 第 2 代

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并联电压基准

TL431可调精密并联稳压器

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电池保护器

BQ2970锂离子和锂聚合物高级单节电池保护器

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电池充电器 IC

BQ25895支持高输入电压和 3.1A 升压、支持 HVDCP 功能的 I2C 单节 5A 降压电池充电器

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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TLV704150mA、24V、超低 IQ、低压降 (LDO) 稳压器

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技术文档

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* 测试报告 PMP11536 Test Results 2015年 11月 13日

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