TIDA-01605
具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计
TIDA-01605
概述
此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离，可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路，可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 ISO7721-Q1 数字隔离器来连接故障信号和复位信号。整体采用 40mm × 40mm 的紧凑型双层 PCB 板设计。
特性
- 用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC MOSFET、Si MOSFET 和 IGBT，开关频率高达 500kHz
- 紧凑高效的内置隔离式偏置电源（具有 15V 和 –4V 输出）
- 分立式两级关断功能可实现短路保护，具有可调的电流限制和延迟（消隐）时间
- 提供大于 100V/ns 的高 CMTI 以及增强的 8kV 峰值电压和 5.7kV RMS 电压隔离
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证，不可用于销售。
设计文件和产品
设计文件
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产品
在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。
隔离式栅极驱动器
UCC21530-Q1 — Automotive, 4A, 6A, 5.7kVRMS, isolated dual-channel gate driver with EN and DT pins for IGBT/SiC
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 设计指南 | Automotive Dual-Channel, SiC MOSFET Gate Driver Reference Design (Rev. B) | 2020年 6月 3日 | |||
| 白皮书 | 符合 IEC60664 标准的电机驱动应用电路板绝缘设计 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2023年 9月 11日 | |
| 设计指南 | 汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计 (Rev. A) | 最新英语版本 (Rev.B) | 2019年 7月 15日 | |||
| 白皮书 | High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies | 2014年 10月 16日 |