PMP20172

具备端口电源管理直流/直流充电器的 36W USB 双端口 USB Type-C™ PD 参考设计

PMP20172

设计文件

概述

PMP20172 参考设计在两个 USB Type-C 输出上可提供高达 36W 的功率。输入为 17VDC 总线。该两个输出可实现端口电源管理。如果仅使用一个端口时,则将在该端口分配全部的 36W。如果使用两个端口时,则将在每个端口上分别分配 18W。支持的输出电压为 5V、9V 或 15V。

特性
  • 效率极高,可提供 15V 输出,同时实现超过 98% 的效率
  • 智能功率均衡
  • 紧凑型参考设计,38mm x 38mm (1.5" x 1.5")
  • 低厚度,5mm (0.2")
输出电压选项 PMP20172.1
Vin (Min) (V) 16.5
Vin (Max) (V) 18
Vout (Nom) (V) 15
Iout (Max) (A) 2.4
Output Power (W) 36
Isolated/Non-Isolated Non-Isolated
Input Type DC
Topology Buck- Synchronous
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我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证,不可用于销售。

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUCX1.PDF (4823 K)

参考设计的测试结果,包括效率图表,测试前提条件等

TIDRPU6.PDF (497 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRPU7.PDF (70 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRPU8.PDF (116 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRPV0.ZIP (685 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCD64.ZIP (650 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRPU9.PDF (1763 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

MOSFET

CSD17575Q3采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据表: PDF | HTML
MOSFET

CSD87333Q3D采用 3mm x 3mm SON 封装的 15A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

数据表: PDF | HTML
USB Type-C 和 USB 电力传输 IC

TPS25740ATPS25740A USB Type-C™ 修订版 1.2 和 USB PD 2.0 源控制器 (5V/9V/15V)

数据表: PDF | HTML
交流/直流和直流/直流控制器(外部 FET)

TPS40303具有 FSS 的 3V 至 20V、25A、300kHz 同步降压控制器

数据表: PDF | HTML

技术文档

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* 测试报告 PMP20172 Test Results 2017年 2月 9日

支持与培训

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