计算工具
UCC27532
- 低成本栅极驱动器（为驱动 FET 和 IGBT 提供理想解决方案）
- 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接）
- CMOS 兼容输入逻辑阈值（在 VDD 大于 18V 时变为固定值）
- 分离输出可实现独立接通和关闭调节
- 通过固定 TTL 兼容型阈值启用
- 在 18V VDD 下具有 2.5A 的高峰值驱动拉电流和 5A 的峰值驱动灌电流
- 从 10V 到高达 35V 的宽 VDD 范围
- 输入引脚可承受低于接地电压且高达 -5V 的直流电压
- 当输入悬空时或在 VDD UVLO 期间，输出保持低电平
- 短暂传播延迟（典型值为 17ns）
- 快速上升和下降时间（1800pF 负载时的典型值分别为 15ns 和 7ns）
- 欠压闭锁 (UVLO)
- 用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏置和信号隔离设计）
- 低成本、节省空间的 6 引脚 DBV (SOT-23) 封装
- 工作温度范围为 –40°C 至 140°C
UCC27532 是一款单通道、高速、栅极驱动器，此驱动器可借助于高达 2.5A 拉电流和 5A 灌电流（非对称驱动）峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和 IGBT 电源开关。强劲的非对称驱动中的吸收能力提升了寄生米勒 (Miller) 接通效应抗扰度。UCC27532 器件还特有一个分离输出配置，在此配置中栅极驱动电流从 OUTH 引脚拉出并从 OUTL 引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在 OUTH 和 OUTL 引脚上采用独立的接通和关闭电阻器并且能很轻易地控制开关的转换率。
此驱动器具有轨到轨驱动能力和典型值为 17ns 的极小传播延迟。
UCC27532DBV 具有 CMOS 输入阈值，此阈值在 VDD 低于或等于 18V 时介于比 VDD 高 55% 的电压值与比 VDD 低 45% 的电压值范围内。当 VDD 高于 18V 时，输入阈值保持在其最大水平上。
此驱动器具有支持固定 TTL 兼容阈值的 EN 引脚。EN 被内部上拉；将 EN 下拉为低电平禁用驱动器，而将其保持打开可提供正常运行。EN 引脚可被用作一个额外输入，其性能与 IN 引脚一样。
将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。驱动器的逻辑运行方式被显示在应用图、时序图和输入与输出逻辑真值表中。
VDD 引脚上的内部电路提供一个欠压闭锁功能，此功能在 VDD 电源电压处于运行范围内之前将输出保持为低电平。
UCC27532 驱动器采用 6 引脚标准 SOT-23 (DBV) 封装。此器件在 -40°C 至 140°C 的宽运行温度范围运行。
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 13 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | 2.5A 和 5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单栅极驱动器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2024年 10月 8日 |
| 应用手册 | 使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2023年 9月 13日 | |
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 应用简报 | Implementing a Bipolar Gate Drive for Low-Side IGBTs and SiC FETs in Motor Drive | 2019年 10月 10日 | ||||
| 应用简报 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
| 选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
| 应用手册 | UCC27531 35-V Gate Driver for SiC MOSFET Applications (Rev. A) | 2018年 5月 8日 | ||||
| 更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| 应用简报 | Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole | 2018年 3月 16日 | ||||
| EVM 用户指南 | Using the UCC27532EVM-538 (Rev. A) | 2013年 8月 22日 |
设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
UCC27531EVM-184 — UCC27531 评估模块
The UCC27531EVM-184 is a fully isolated Gate Driver Daughter Card that provides a test platform for a quick and easy evaluation of the UCC27531DBV driver. Powered by a single +12V external supply, and featuring a comprehensive set of test points and jumpers, this EVM can be used for the evaluation (...)
用户指南: PDF
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 6 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。