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UCC27201A

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具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 3A、120V 半桥栅极驱动器

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -15 Features Negative voltage handling Driver configuration Noninverting
Bootstrap supply voltage (max) (V) 110 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -15 Features Negative voltage handling Driver configuration Noninverting
HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (DRC) 9 9 mm² 3 x 3 VSON (DRM) 8 16 mm² 4 x 4 WSON (DPR) 10 16 mm² 4 x 4
  • 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • HS 引脚具备负电压处理能力 (–18V)
  • 最大启动电压 120V
  • 最大 VDD 电压 20V
  • 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
  • 22ns 传播延迟时间
  • 3A 灌电流，3A 拉电流输出
  • 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
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  • 22ns 传播延迟时间
  • 3A 灌电流，3A 拉电流输出
  • 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
  • 1ns 延迟匹配
  • 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
  • 额定温度范围为 –40°C 至 150°C

UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。

UCC2720xA 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值，而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。

UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。

UCC2720xA 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值，而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。
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设计和开发

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评估板

UCC27201AEVM-328 — 带有功率级的 UCC27201A 评估模块

UCC27201AEVM-328 适用于评估 UCC27201ADPR 和 UCC27212DPR（两者均为可支持高峰值拉/灌电流的半桥栅极驱动器）。此 EVM 可用于参照驱动器 IC 的数据表对其进行评估。该 EVM 还可用作驱动器 IC 组件选择指南。该 EVM 可轻松地配置为各种功率级拓扑（例如同步降压转换器），且布局效果可进行测试。
用户指南: PDF
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仿真模型

UCC27201 and UCC27201A PSpice Transient Model (Rev. B)

SLUM096B.ZIP (74 KB) - PSpice Model
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仿真模型

UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)

SLUM114A.TSC (193 KB) - TINA-TI Reference Design
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仿真模型

UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SLUM113A.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice Model
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UCC27201 and UCC27201A Unencrypted PSpice Transient Model

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计算工具

SLURB12 — UCC272xx Schematic Review Template

支持的产品和硬件

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产品
半桥驱动器
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参考设计

TIDA-00653 — 适用于电池充电应用的非隔离式双向转换器参考设计

TIDA-00653 是非隔离式 48 至 12V 双向转换器参考设计，适用于 UCD3138 数字电源控制器支持的 48V 电池应用。该设计非常灵活，能够以 ZVS 转换模式拓扑工作以优化轻负载效率，也能够以硬开关拓扑工作以实现简单的系统设计。该双向转换器针对轻负载采用自动切相和偏移技术，并且采用自适应死区优化，以实现大于 96% 的复合效率增益。由于效率得到极大的提高，因此热损耗得以降低，在汽车应用中无需使用空气或液体冷却。此外，使用 UCD3138 高控制频率控制器和基于硬件的状态机，可以实现小型化，并且可以释放系统 CPU 以用于电池管理等其他功能。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (DRC) 9 Ultra Librarian
VSON (DRM) 8 Ultra Librarian
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  • MSL 等级/回流焊峰值温度
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