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UCC27201
- 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- HS 引脚具备负电压处理能力 (–5V)
- 最大启动电压为 120V
- 最大 VDD 电压为 20V
- 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
- 22ns 传播延迟时间
- 3A 灌电流，3A 拉电流输出
- 1000pF 负载时上升时间为 8ns，下降时间为 7ns
- 1ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
- 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
UCC2720x 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能，如果驱动电压低于规定的阈值，则强制将输出置为低电平。
UCC2720x 提供了两种版本。UCC27200 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值，而 UCC27201 具有兼容 TTL 的阈值。
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设计和开发
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仿真模型
UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Reference Design (Rev. A)
SLUM114A.TSC (193 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型
UCC27201 and UCC27201A TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)
SLUM113A.ZIP (30 KB) - TINA-TI Spice Model
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
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| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
| VSON (DRM) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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