UCC27200A
- 可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道 MOSFET
- HS 引脚具备负电压处理能力 (–18V)
- 最大启动电压 120V
- 最大 VDD 电压 20V
- 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自举二极管
- 22ns 传播延迟时间
- 3A 灌电流,3A 拉电流输出
- 1000pF 负载时上升时间为 8ns,下降时间为 7ns
- 1ns 延迟匹配
- 用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
- 额定温度范围为 –40°C 至 150°C
UCC2720xA 系列高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可更大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC2720xA 具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压,这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,如果驱动电压低于规定的阈值,则强制将输出置为低电平。
UCC2720xA 提供了两种版本。UCC27200A 具有高抗扰度 CMOS 输入阈值,而 UCC27201A 则具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。
技术文档
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* | 数据表 | UCC2720xA 具有 8V UVLO 功能的 120V、3A/3A 半桥驱动器 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2024年 10月 1日 |
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应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
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选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 |
设计和开发
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仿真模型
UCC27200 and UCC27200A TINA-TI Transient Reference Design
SLUM112.TSC (138 KB) - TINA-TI Reference Design
计算工具
模拟工具
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参考设计
PMP7246 — 采用 PSFB ZTE 和 HSHB 的 36-60V 输入、350W 慢漏极调制功率转换器参考设计
这是一种 350W 高速全桥相移 ZVT 同步整流直流/直流参考设计。此设计适用于电信应用,用于提供射频功率放大器级。此设计采用 UCC28950 电压模式正向和平均电流限制反向转换器(二象限转换器)。此设计可在 200us 内调制 20V 至 32V 输出电压(最高 200uF 的电容负载),因此称为:慢漏调制。该转换器还具有满载步进功能。这是一种适用于高度精密型电信应用的极小设计。这套系统还可用于所有其他二象限应用。输 入电压范围:36VDC-60VDC;输出电压:20VDC…32VDC(可调);输出电流:12A(18A 峰值)。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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HSOIC (DDA) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
VSON (DRC) | 9 | Ultra Librarian |
VSON (DRM) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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