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UCC21520-Q1

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具有双输入、禁用引脚、死区时间的汽车级 4A/6A、5.7kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器

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UCC21550-Q1 正在供货 适用于 IGBT 且具有 DIS 和 DT 引脚的汽车级 4A/6A、5kVRMS 双通道隔离式栅极驱动器 Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21520-Q1

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产品详情

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 6.5, 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 8 Undervoltage lockout (typ) (V) 5, 8
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 符合汽车应用 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
  • 工作温度范围：–40 至 +125°C
  • 开关参数：
    • 19ns 典型传播延迟
    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 6ns 最大脉宽失真度
  • 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100 V/ns
  • 浪涌抗扰度高达 12.8kV
  • 隔离栅寿命 > 40 年
  • 4A 峰值拉电流，6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
  • 3V 至 18V 输入 VCCI 范围，可连接数字和模拟控制器
  • 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 可针对电源排序快速禁用
  • 安全相关认证：
    • 8000VPK 增强型隔离，符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 获得 GB4943.1-2011 CQC 认证
  • 符合汽车应用 要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果
    • 器件温度 1 级
    • 器件 HBM ESD 分类等级 H2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
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    • 10ns 最小脉冲宽度
    • 5ns 最大延迟匹配度
    • 6ns 最大脉宽失真度
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  • 4A 峰值拉电流，6A 峰值灌电流输出
  • TTL 和 CMOS 兼容输入
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    • 5V 和 8V VDD UVLO 选项
  • 可通过编程的重叠和死区时间
  • 抑制短于 5ns 的输入脉冲和噪声瞬态
  • 可针对电源排序快速禁用
  • 安全相关认证：
    • 8000VPK 增强型隔离，符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • 获得 CSA 认证，符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 获得 GB4943.1-2011 CQC 认证

UCC21520-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET，具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500 VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

每个器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围，该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能，UCC21520-Q1 可以实现高效率、高功率密度和稳健性。

UCC21520-Q1 是隔离式双通道栅极驱动器，具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该器件设计用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET，具有一流的传播延迟和脉宽失真度。

输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离层与两个输出驱动器隔离，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离，支持高达 1500 VDC 的工作电压。

每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出，在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制，初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。

每个器件接受高达 25V 的 VDD 电源电压。凭借 3V 至 18V 的宽输入电压 VCCI 范围，该驱动器非常适合连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。

凭借上述所有高级 功能，UCC21520-Q1 可以实现高效率、高功率密度和稳健性。

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UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块

UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW（一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器）。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计，具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。

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