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TPS92515AHV-Q1

正在供货

具有集成 NFET 的 65V 汽车类 2A 分流 PWM 可调光 LED 驱动器

产品详情

Number of channels 1 Topology Buck Rating Automotive Operating temperature range (°C) -40 to 125 Vin (min) (V) 5.5 Vin (max) (V) 65 Vout (min) (V) 0 Vout (max) (V) 62 Iout (max) (A) 2 Iq (typ) (mA) 1 Switching frequency (max) (kHz) 2000 Features Integrated Switch, Precision Dimming Control, Thermal shutdown
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HVSSOP (DGQ) 10 14.7 mm² 3 x 4.9
  • 符合 AEC-Q100 1 级标准
  • 集成 290mΩ(典型值)内部 N 沟道场效应晶体管 (FET)
  • 输入电压范围
    • TPS92515AHVx:5.5V 至 65V
    • 启动后工作电压低至 5.15V
  • 低偏移高侧峰值电流比较器
  • 高达 2A 的恒定平均电流
  • 固有逐周期电流限制
  • 多种调光方法
    • 10,000:1 分流脉宽调制 (PWM) 调光范围
    • 1000:1 PWM 调光范围
    • 200:1 模拟调光范围
  • 简单的恒定关断时间控制
    • 无环路补偿
    • 快速瞬态响应
  • 散热增强型 HVSSOP 封装
  • 集成热保护
  • 符合 AEC-Q100 1 级标准
  • 集成 290mΩ(典型值)内部 N 沟道场效应晶体管 (FET)
  • 输入电压范围
    • TPS92515AHVx:5.5V 至 65V
    • 启动后工作电压低至 5.15V
  • 低偏移高侧峰值电流比较器
  • 高达 2A 的恒定平均电流
  • 固有逐周期电流限制
  • 多种调光方法
    • 10,000:1 分流脉宽调制 (PWM) 调光范围
    • 1000:1 PWM 调光范围
    • 200:1 模拟调光范围
  • 简单的恒定关断时间控制
    • 无环路补偿
    • 快速瞬态响应
  • 散热增强型 HVSSOP 封装
  • 集成热保护

TPS92515AHV-Q1 是一款包含低电阻 N 沟道 MOSFET 的紧凑型单片开关稳压器。此器件适用于高亮度 LED 照明 应用 ,满足效率、高带宽、PWM 或模拟调光和小尺寸方面的要求。

此稳压器具有恒定关断时间和峰值电流控制功能。工作原理十分简单:在基于输出电压的一段关断时间后,即开始导通时间。达到电感峰值电流阈值后,导通时间立即结束。TPS92515AHV-Q1 器件可配置为在分流 FET 调光周期的导通和关断时间内保持恒定的峰间纹波。此周期非常适合在整个分流 FET 调光范围内保持线性响应。

低失调电压的高侧比较器有助于实现稳态精度。可单独使用模拟或 PWM 调光技术或者同时使用这两种技术来调制 LED 电流。其他 特性 包括欠压闭锁 (UVLO)、宽输入电压操作、固有 LED 开路操作和热关断功能,其工作温度范围较宽。

TPS92515AHV-Q1 器件采用热增强型 10 引脚 HVSSOP 封装,提供高电压选件,输入电压范围高达 65V。

TPS92515AHV-Q1 是一款包含低电阻 N 沟道 MOSFET 的紧凑型单片开关稳压器。此器件适用于高亮度 LED 照明 应用 ,满足效率、高带宽、PWM 或模拟调光和小尺寸方面的要求。

此稳压器具有恒定关断时间和峰值电流控制功能。工作原理十分简单:在基于输出电压的一段关断时间后,即开始导通时间。达到电感峰值电流阈值后,导通时间立即结束。TPS92515AHV-Q1 器件可配置为在分流 FET 调光周期的导通和关断时间内保持恒定的峰间纹波。此周期非常适合在整个分流 FET 调光范围内保持线性响应。

低失调电压的高侧比较器有助于实现稳态精度。可单独使用模拟或 PWM 调光技术或者同时使用这两种技术来调制 LED 电流。其他 特性 包括欠压闭锁 (UVLO)、宽输入电压操作、固有 LED 开路操作和热关断功能,其工作温度范围较宽。

TPS92515AHV-Q1 器件采用热增强型 10 引脚 HVSSOP 封装,提供高电压选件,输入电压范围高达 65V。

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* 数据表 具有集成 N 沟道 FET、高侧电流检测和分流 FET PWM 调光功能的 TPS92515AHV-Q1 2A 降压 LED 驱动器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2018年 10月 19日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

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包含信息:
  • 制造厂地点
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