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TPS735

正在供货

具有使能功能的 500mA、低 IQ、低压降稳压器

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Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.5 Vin (max) (V) 6.5 Vin (min) (V) 2.7 Vout (max) (V) 6 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.5, 2.5, 2.7, 2.85, 3.3, 3.4 Rating Catalog Noise (µVrms) 16.5 PSRR at 100 KHz (dB) 28 Iq (typ) (mA) 0.045 Thermal resistance θJA (°C/W) 52 Load capacitance (min) (µF) 2.2 Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 280 Operating temperature range (°C) -40 to 125
Output options Adjustable Output, Fixed Output Iout (max) (A) 0.5 Vin (max) (V) 6.5 Vin (min) (V) 2.7 Vout (max) (V) 6 Vout (min) (V) 1.2 Fixed output options (V) 1.2, 1.5, 2.5, 2.7, 2.85, 3.3, 3.4 Rating Catalog Noise (µVrms) 16.5 PSRR at 100 KHz (dB) 28 Iq (typ) (mA) 0.045 Thermal resistance θJA (°C/W) 52 Load capacitance (min) (µF) 2.2 Regulated outputs (#) 1 Features Enable Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 280 Operating temperature range (°C) -40 to 125
VSON (DRB) 8 9 mm² 3 x 3 WSON (DRV) 6 4 mm² 2 x 2
  • 输入电压：2.7V 至 6.5V
  • 带 EN 引脚的 500mA 低压降稳压器
  • 低 IQ： 45µA
  • 提供了多个输出电压版本：
    • 1.2V 至 4.3V 固定输出
    • 1.25V 至 6V 可调输出
  • 高 PSRR：1kHz 频率下为 68dB
  • 低噪声：13.2µVRMS
  • 快速启动时间：45µs
  • 使用陶瓷 2.2µF 低 ESR 输出电容器实现稳定运行
  • 出色的负载和线路瞬态响应
  • 2% 的总体精度（负载、线路和温度，VOUT > 2.2V）
  • 极低的压降：500mA 电流下为 280mV
  • 2mm × 2mm WSON-6 和
    3mm × 3mm SON-8 封装
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  • 极低的压降：500mA 电流下为 280mV
  • 2mm × 2mm WSON-6 和
    3mm × 3mm SON-8 封装

TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 45µA（典型值）接地电流。

TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C，采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。

TPS735 低压降 (LDO)、低功耗线性稳压器可提供出色的交流性能以及极低的接地电流。可提供高电源抑制比 (PSRR)、低噪声、快速启动以及出色的线路和负载瞬态响应，同时消耗极低的 45µA（典型值）接地电流。

TPS735 器件与陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定，并且该器件使用先进的 BiCMOS 制造工艺，能够在输出 500mA 电流时产生 280mV 的典型压降电压。TPS735 器件使用精密电压基准和反馈环路，可在全部负载、线路、过程和温度变化范围内实现 2% 的总体精度 (VOUT > 2.2V)。此器件的额定 TJ = –40°C 至 +125°C，采用薄型 3mm × 3mm SON-8 封装和 2mm × 2mm WSON-6 封装。
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