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TPS51916

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DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器

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TPS51916

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产品详情

Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 28 Vout (min) (V) 0.7 Vout (max) (V) 1.8 Features Complete Solution, Eco Mode, S3/S5 Support Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iq (typ) (mA) 0.6 Product type DDR DDR memory type DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR4, LPDDR2, LPDDR3
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WQFN (RUK) 20 9 mm² 3 x 3
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 转换电压范围：3V 至 28V
    • 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • 可选控制架构
      • D-CAP™模式，可实现快速瞬态响应
      • D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
    • 可选 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 开关频率
    • 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
    • 支持 S4 和 S5 状态下的软关闭
    • 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
    • 电源正常输出
  • 2A LDO (VTT)，缓冲基准 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌电流和拉电流
    • 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF 输出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 支持高阻抗 (S3) 和软关闭（S4、S5）
  • 热关断
  • 20 引脚，3mm x 3mm，四方扁平无引线 (QFN) 封装
  • 创建 WEBENCH 设计
  • 同步降压控制器 (VDDQ)
    • 转换电压范围：3V 至 28V
    • 输出电压范围：0.7V 至 1.8V
    • 0.8% VREF精度
    • 可选控制架构
      • D-CAP™模式，可实现快速瞬态响应
      • D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
    • 可选 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 开关频率
    • 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
    • 支持 S4 和 S5 状态下的软关闭
    • 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
    • 电源正常输出
  • 2A LDO (VTT)，缓冲基准 (VTTREF)
    • 2A（峰值）灌电流和拉电流
    • 经缓冲的，低噪声，10mA VTTREF 输出
    • 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
    • 支持高阻抗 (S3) 和软关闭（S4、S5）
  • 热关断
  • 20 引脚，3mm x 3mm，四方扁平无引线 (QFN) 封装
  • 创建 WEBENCH 设计

TPS51916 器件能够以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流和 2A 拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。

该器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 频率的 D-CAP™ 模式，以实现易于使用且快速的瞬态响应，或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 频率的 D-CAP2™ 模式，以在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。

该器件还可以提供卓越的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。它还提供具有低侧 MOSFET RDS(on) 检测功能的可编程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及热关断保护。

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TPS51916 器件能够以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流和 2A 拉电流跟踪 LDO (VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。

该器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 频率的 D-CAP™ 模式，以实现易于使用且快速的瞬态响应，或采用耦合了更高的 500kHz 或 670kHz 频率的 D-CAP2™ 模式，以在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。

该器件还可以提供卓越的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。它还提供具有低侧 MOSFET RDS(on) 检测功能的可编程 OCL、OVP、UVP、UVLO 以及热关断保护。

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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

TPS51916EVM-746 — 用于 TPS51916 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压控制器的评估模块

The TPS51916EVM-746 evaluation module is a fully assembled and tested circuit for evaluating the TPS51916 low-dropout (LDO) regulator. The TPS51916 provides a complete power supply for DDR2, DDR3, DDR3L and DDR4 memory system in the lowest total cost and minimum space. The TPS51916 integrates a (...)
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

TPS51916 PSpice Transient Model

SLUM206.ZIP (80 KB) - PSpice Model
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仿真模型

TPS51916 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM265.TSC (253 KB) - TINA-TI Reference Design
下载
仿真模型

TPS51916 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM266.ZIP (78 KB) - TINA-TI Spice Model
下载
参考设计

TIDA-00020 — Intel IMVP7 第二代 Core Mobile (Core i7) 电源管理参考设计

Intel® Core i7 电源管理设计是一款面向 Intel® IMVP-7 串行 VID (SVID) 电源系统的参考设计。该设计采用 IMVP-7 三相 CPU 电源、单相 GPU Vcore 电源、1.05VCC I/O 电源和 DDR3L/DDR4 内存电压轨。为大幅提高功率密度和热性能，采用了 5mm x 6mm NEXFET 电源块 MOSFET。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WQFN (RUK) 20 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频