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AC/DC 和 DC/DC 转换器（集成 FET）

TPS51367

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具有超低静态电流的 3V 至 22V、12A 同步降压转换器

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TPS51397A 正在供货 4.5V 至 24V 输入、10A 同步降压稳压器 Higher efficiency and D-CAP3, lower output current.

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产品详情

Rating Catalog Operating temperature range (°C) -10 to 85 Topology Buck Type Converter Iout (max) (A) 12 Vin (min) (V) 3 Vin (max) (V) 22 Switching frequency (min) (kHz) 400 Switching frequency (max) (kHz) 800 Features Enable, Light Load Efficiency, Output discharge, Power good, Soft Start Adjustable, Synchronous Rectification Control mode D-CAP2 Vout (min) (V) 0.6 Vout (max) (V) 2 Iq (typ) (µA) 100 Duty cycle (max) (%) 87
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VQFN-CLIP (RVE) 28 15.75 mm² 4.5 x 3.5
  • 输入电压范围：3V 至 22V
  • 输出电压范围：0.6V 至 2V
  • 12A 集成 FET 转换器
  • 最少的外部组件数量
  • ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
  • 软启动时间可由外部电容器设定
  • 开关频率：400kHz 和 800kHz
  • D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
  • 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
  • 电源良好输出 OCL，过压保护 (OVP)，欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
  • 热关断（非锁存）
  • 输出放电功能
  • 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
  • 焊球间距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线 (QFN) 封装
  • 输入电压范围：3V 至 22V
  • 输出电压范围：0.6V 至 2V
  • 12A 集成 FET 转换器
  • 最少的外部组件数量
  • ULQ™-100 模式运行以实现系统待机期间的长电池使用寿命
  • 软启动时间可由外部电容器设定
  • 开关频率：400kHz 和 800kHz
  • D-CAP2™ 架构以实现高分子有机半导体固体电容器 (POSCAP) 和所有多层陶瓷电容 (MLCC) 输出电容器的使用
  • 用于精确过流限制 (OCL) 保护的集成且支持温度补偿的低侧导通电阻感测
  • 电源良好输出 OCL，过压保护 (OVP)，欠压保护 (UVP) 和欠压闭锁 (UVLO) 保护
  • 热关断（非锁存）
  • 输出放电功能
  • 集成升压金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 开关
  • 焊球间距 0.4mm，高度 1mm 的 28 引脚，3.5mm x 4.5mm，RVE，四方扁平无引线 (QFN) 封装

TPS51367 是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起，TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

TPS51367 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流（低功率模式下为 100µA，由 LP# 启用）。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球间距 0.4mm，28 引脚 QFN (RVE) 封装，额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

TPS51367 是一款高压输入、同步转换器，此转换器带有集成的 FET，它基于 DCAP-2 控制拓扑结构，从而实现快速瞬态响应并支持 POSCAP 和所有 MLCC 输出电容器。 与 TI 领先的封装技术组合在一起，TI 专有的 FET 技术为诸如 VCCIO 和 VDDQ 等用于 DDR 笔记本内存的单输出电源轨或者广泛应用中的任何负载点 (POL) 提供最高密度的解决方案。

TPS51367 的主要特性是其 ULQ™-100 模式以实现低偏置电流（低功率模式下为 100µA，由 LP# 启用）。 这个特性对于延长系统待机模式中的电池使用寿命非常有帮助。

此特性集包括 800kHz 的开关频率。 可由一个外部电容器设定的软启动时间。自动跳跃、预偏置启动、集成引导加载开关、电源良好、使能和一整套的故障保护机制，其中包括 OCL，UVP，OVP 5V UVLO 和热关断。

它采用 3.5mm x 4.5mm，焊球间距 0.4mm，28 引脚 QFN (RVE) 封装，额定运行温度范围为 -10°C 至 85°C。

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设计和开发

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仿真模型

TPS51367 Unencrypted PSpice Transient Model Package (Rev. A)

SLUM377A.ZIP (56 KB) - PSpice Model
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VQFN-CLIP (RVE) 28 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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