LMG1020

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具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器

产品详情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features low-side, ultra-fast Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 0.4 Propagation delay time (µs) 0.0025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 4.75 Input supply voltage (max) (V) 5.25 Features low-side, ultra-fast Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 0.4 Fall time (ns) 0.4 Propagation delay time (µs) 0.0025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3.5 Driver configuration Low Side
DSBGA (YFF) 6 1.4000000000000001 mm² 1 x 1.4000000000000001
  • 用于 GaN 和硅质 FET 的低侧、超快栅极驱动器
  • 1ns 最小输入脉冲宽度
  • 工作频率高达 60MHz
  • 传播延迟:典型值 2.5ns,最大值 4.5ns
  • 典型上升和下降时间 400ps
  • 7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 5V 电源电压
  • UVLO 和过热保护
  • 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装
  • 用于 GaN 和硅质 FET 的低侧、超快栅极驱动器
  • 1ns 最小输入脉冲宽度
  • 工作频率高达 60MHz
  • 传播延迟:典型值 2.5ns,最大值 4.5ns
  • 典型上升和下降时间 400ps
  • 7A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
  • 5V 电源电压
  • UVLO 和过热保护
  • 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器,专为在高速 应用 (包括 LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低侧驱动器的功率转换器)中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。LMG1020 设计简约,可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器,可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。

该驱动器 提供 过载或故障情况下的欠压锁定 (UVLO) 和过热保护 (OTP)。

LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度 要求。

LMG1020 器件是一款单通道低侧驱动器,专为在高速 应用 (包括 LiDAR、飞行时间、面部识别和任何涉及低侧驱动器的功率转换器)中驱动 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 而设计。LMG1020 设计简约,可实现 2.5 纳秒的极快传播延迟和 1 纳秒的最小脉冲宽度。通过分别在栅极与 OUTH 和 OUTL 之间连接外部电阻器,可针对上拉和下拉沿来独立调节驱动强度。

该驱动器 提供 过载或故障情况下的欠压锁定 (UVLO) 和过热保护 (OTP)。

LMG1020 的 0.8mm × 1.2mm WCSP 封装可最大限度地降低栅极回路电感并最大限度地提高高频功率密度 要求。

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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

LMG1020EVM-006 — LMG1020 GaN 低侧驱动器 + GaN FET 激光雷达评估模块

LMG1020EVM-006 是一种具有集成电阻负载(不包括激光器)的小型易用功率级。它采用可进行缓冲(并进一步缩短)或直接传输到该功率级的短脉冲输入。
用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

LMG1020 PSpice Transient Model (Rev. C)

SNOM618C.ZIP (1575 KB) - PSpice Model
仿真模型

LMG1020 TINA-TI Reference Design (Rev. A)

SNOM619A.TSC (66 KB) - TINA-TI Reference Design
仿真模型

LMG1020 TINA-TI Transient Spice Model (Rev. A)

SNOM620A.ZIP (43 KB) - TINA-TI Spice Model
计算工具

SLURB17 LMG1020 Schematic Review Template

支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

产品
低侧驱动器
LMG1020 具有 5V UVLO、可提供纳秒级输入脉冲的 7A/5A 单通道栅极驱动器
模拟工具

PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。

借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。

在 PSpice for TI 设计和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
参考设计

TIDA-01573 — 适用于激光雷达的纳秒级激光驱动器参考设计

此激光雷达 (LiDAR) 参考设计展示了适用于窄脉冲应用的 LMG1020 和 LMG1025-Q1 低侧栅极驱动器。这些器件能够驱动 FET 产生功率大于 100W、脉宽小于 1.5ns 的激光脉冲。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YFF) 6 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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