LM5111
- Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
- Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
- 5-A Sink and 3-A Source Current Capability
- Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
- Independent Inputs (TTL Compatible)
- Fast Propagation Times (25 ns Typical)
- Fast Rise and Fall Times (14 ns and 12 ns Rise and Fall, Respectively, With 2-nF Load)
- Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
- Supply Rail Undervoltage Lockout Protection (UVLO)ƒ
- LM5111-4 UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A and NFET through OUT_B
- Pin Compatible With Industry Standard Gate Drivers
The LM5111 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC package or the thermally enhanced
MSOP-PowerPAD package.
您可能感兴趣的相似产品
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 10 | 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | LM5111 Dual 5-A Compound Gate Driver 数据表 (Rev. H) | PDF | HTML | 2016年 9月 28日 | ||
| 应用简报 | 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 应用简报 | 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) | 英语版 (Rev.A) | 2020年 4月 29日 | |||
| 应用手册 | Improving Efficiency of DC-DC Conversion through Layout | 2019年 5月 7日 | ||||
| 应用简报 | How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs | 2019年 1月 18日 | ||||
| 更多文献资料 | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 2018年 10月 29日 | ||||
| 选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. K) | 2018年 7月 31日 | ||||
| 选择指南 | 电源管理指南 2018 (Rev. R) | 2018年 6月 25日 | ||||
| 更多文献资料 | MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 | 最新英语版本 (Rev.A) | 2018年 4月 17日 | |||
| EVM 用户指南 | AN-1937 LM3433 10A to 40A LED Driver Evaluation Board (Rev. D) | 2013年 5月 3日 |
设计和开发
如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。
评估板
UCC27423-4-5-Q1EVM — 具有使能端的 UCC2742xQ1 双路 4A 高速低侧 MOSFET 驱动器评估模块 (EVM)
UCC2742xQ1 EVM 是一款高速双 MOSFET 评估模块，其提供了用于快速轻松地启动 UCC2742xQ1 驱动器的测试平台。由 4V 到 15V 外部单电源供电，具有一整套测试点和跳线。所有器件均具有独立的输入和输出线路，且所有器件均共享一个共用接地。提供使能 (ENBL) 功能旨在更好地控制驱动器应用的操作，器件的驱动器信号可通过同一使能引脚启用或禁用。
用户指南: PDF
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用，包括业内超大的模型库之一，涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库，您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案，然后再进行布局和制造，可缩短产品上市时间并降低开发成本。
在 PSpice for TI 设计和仿真工具中，您可以搜索 TI (...)
参考设计
TIDM-AUTO-DC-LED-LIGHTING — 面向汽车前灯应用的多通道高密度 LED 控制
此设计采用 TMS320F2803x Piccolo 微控制器，实现了通常适合汽车照明系统的高效率多通道直流/直流 LED 控制系统。此设计支持多达 6 个 LED 控制通道，每个通道具有最高 1.2A 的电流驱动能力。凭借升压和降压双级电源拓扑，此系统可通过 8V 至 20V 的宽输入直流电压范围运行，这非常适合汽车应用。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
| SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。