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LM5109B

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具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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LM5109B

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产品详情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
Bootstrap supply voltage (max) (V) 90 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 14 Peak output current (A) 1 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Propagation delay time (µs) 0.025 Rise time (ns) 15 Fall time (ns) 15 Iq (mA) 0.01 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual, Independent
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 WSON (NGT) 8 16 mm² 4 x 4
  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流）
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间（典型值为 30ns）
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流）
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间（典型值为 30ns）
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

LM2105EVM — LM2105 具有集成式自举二极管的 105V 半桥驱动器评估模块

LM2105 评估模块 (EVM) 是一款用于评估 LM2105 性能的平台。LM2105 是一款具有 0.5A 峰值拉电流、0.8A 峰值灌电流、105V 引导电压的高侧/低侧驱动器，可用于驱动两个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该评估板还可用于评估支持的封装中的引脚对引脚兼容器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
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仿真模型

LM5109B PSpice Transient Model

SNVMAM7.ZIP (75 KB) - PSpice Model
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仿真模型

LM5109B Unencrypted PSpice Transient Model

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计算工具

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支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

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半桥驱动器
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TIDA-010086 — Digital control cost-optimized 10-A battery formation and test reference design

本参考设计为电池化成和测试应用提供了一种具有成本效益的解决方案。此设计将 C2000™ 实时控制 MCU 用于高分辨率脉宽调制 (PWM) 生成，以及恒定电流 (CC) 和恒定电压 (CV)
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参考设计

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设计指南: PDF
原理图: PDF
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SOIC (D) 8 Ultra Librarian
WSON (NGT) 8 Ultra Librarian
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