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LM5050-2

正在供货

6V 至 75V、400uA IQ ORing FET 控制器

产品详情

Vin (min) (V) 6 Vin (max) (V) 75 Number of channels 1 Features FET test, Linear control, Reverse current blocking Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.72 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 32 IGate source (max) (µA) 45 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 250 VGS (max) (V) 14.7 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
Vin (min) (V) 6 Vin (max) (V) 75 Number of channels 1 Features FET test, Linear control, Reverse current blocking Iq (typ) (mA) 0.4 Iq (max) (mA) 0.72 FET External single FET IGate source (typ) (µA) 32 IGate source (max) (µA) 45 IGate sink (typ) (mA) 2.8 IGate pulsed (typ) (A) 2.8 Operating temperature range (°C) -40 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -41, -28 Design support EVM, Reference Design, Simulation Model Rating Catalog Imax (A) 250 VGS (max) (V) 14.7 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.1 Device type ORing controller Product type ORing controller
SOT-23-THN (DDC) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • Wide Operating Input Voltage Range: +6V to +75V
  • +100 Volt Transient Capability
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel MOSFET
  • MOSFET Diagnostic Test Mode
  • Fast 50ns Response to Current Reversal
  • 2A Peak Gate Turn-off Current
  • Minimum VDS Clamp for Faster Turn-off
  • Package: SOT-6 (Thin SOT23-6)

All trademarks are the property of their respective owners.

  • Wide Operating Input Voltage Range: +6V to +75V
  • +100 Volt Transient Capability
  • Charge Pump Gate Driver for External N-Channel MOSFET
  • MOSFET Diagnostic Test Mode
  • Fast 50ns Response to Current Reversal
  • 2A Peak Gate Turn-off Current
  • Minimum VDS Clamp for Faster Turn-off
  • Package: SOT-6 (Thin SOT23-6)

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The LM5050-2 High Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This OR-ing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and voltage drops.

The LM5050-2 controller provides charge pump gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when current flows in the reverse direction. The LM5050-2 can connect power supplies ranging from +6V to +75V and can withstand transients up to +100V.

The LM5050-2 also provides a FET test diagnostic mode which allows the system controller to test for shorted MOSFETs.

The LM5050-2 High Side OR-ing FET Controller operates in conjunction with an external MOSFET as an ideal diode rectifier when connected in series with a power source. This OR-ing controller allows MOSFETs to replace diode rectifiers in power distribution networks thus reducing both power loss and voltage drops.

The LM5050-2 controller provides charge pump gate drive for an external N-Channel MOSFET and a fast response comparator to turn off the FET when current flows in the reverse direction. The LM5050-2 can connect power supplies ranging from +6V to +75V and can withstand transients up to +100V.

The LM5050-2 also provides a FET test diagnostic mode which allows the system controller to test for shorted MOSFETs.

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设计和开发

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评估板

LM5050MK-2EVAL — 用于 LM5050-2 的评估板

The LM5050-2 evaluation board is designed to demonstrate the capabilities of the LM5050-2 OR-ing Diode Controller. It is intended for evaluation of the functions of the LM5050-2.
用户指南: PDF
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TIDA-00702 是 60W 工业交流-直流电源,旨在用于过程控制、工厂自动化和机械控制等工业和仪器系统。此参考设计是使用 UCC28740 初级侧调节 (PSR) 恒定电流-恒定电压 (CC-CV) 反激式控制器实现的准谐振反激式转换器,内置了所有必要的保护机制。硬件设计经测试符合传导发射、浪涌和 EFT 要求。

参考设计的突出亮点:

  • 设计中所含的组件数减少,符合 NEC 2 类和限功率电源 (LPS) 规范
  • 符合能源之星评级和 2013 欧盟生态设计指令能源相关产品 (ErP) Lot 6
  • 强大的输出电源保护,可免受输出过流、输出短路、输出过压和过热情况的损害
设计指南: PDF
原理图: PDF
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此参考设计的突出亮点为:

  • 设计中所含的组件数减少,符合 NEC 2 类和限功率电源 (LPS) 规范
  • 符合能源之星评级和 2013 欧盟生态设计指令能源相关产品 (ErP) Lot 6
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TIDA-010011 — 适用于保护继电器处理器模块的高效电源架构参考设计

该参考设计展示了各种电源架构,这些架构可为需要 >1A 负载电流和高效率的应用处理器模块生成多个电压轨。所需的电源通过来自背板的 5V、12V 或 24V 直流输入生成。电源通过带集成 FET 的直流/直流转换器生成并且使用带集成电感器的电源模块以减小尺寸。此设计采用 HotRod™ 封装类型,适用于需要低 EMI 的应用,也非常适合设计时间受限的应用。其他功能包括 DDR 端接稳压器、输入电源 OR-ing、电压时序控制、过载保护电子保险丝以及电压和负载电流监控。该设计可以用于处理器、数字信号处理器和现场可编程门阵列。该设计已依照 CISPR22 标准针对辐射发射进行了测试,符合 A (...)
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23-THN (DDC) 6 Ultra Librarian

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