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Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.9 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.53 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.9 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.53 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWW) 16 177.675 mm² 10.3 x 17.25
  • 信令速率:最高 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns(5V 电源)
  • 出色的 CMTI(最小值):±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体 SOIC-16 封装和超宽体 SOIC-16 封装选项
  • 安全和监管批准:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1 标准的 CQC 认证
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 62368-1 标准的 TUV 认证
  • 信令速率:最高 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟:典型值为 11ns(5V 电源)
  • 出色的 CMTI(最小值):±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 40 年
  • 宽体 SOIC-16 封装和超宽体 SOIC-16 封装选项
  • 安全和监管批准:
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1 标准的 CQC 认证
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 62368-1 标准的 TUV 认证

ISO7841x 器件是一款高性能四通道数字隔离器,隔离电压为 8000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时,该隔离器能够以低功耗提供高电磁抗扰度和低辐射。每个隔离通道都有由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅隔开的逻辑输入和输出缓冲器。

该器件配有使能引脚,可用于将相应输出置于高阻态以适用于多控制器驱动应用,并降低功耗。ISO7841 器件具有三个正向通道和一个反向通道。如果出现输入功率或信号丢失,ISO7841 器件默认输出为高电平,ISO7841F 器件默认输出为低电平。请参阅器件功能模式 部分,了解更多详细信息。

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布局技术,ISO7841 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可轻松满足系统级 ESD、EFT、浪涌和辐射方面的要求。

ISO7841 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。

ISO7841x 器件是一款高性能四通道数字隔离器,隔离电压为 8000VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 时,该隔离器能够以低功耗提供高电磁抗扰度和低辐射。每个隔离通道都有由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅隔开的逻辑输入和输出缓冲器。

该器件配有使能引脚,可用于将相应输出置于高阻态以适用于多控制器驱动应用,并降低功耗。ISO7841 器件具有三个正向通道和一个反向通道。如果出现输入功率或信号丢失,ISO7841 器件默认输出为高电平,ISO7841F 器件默认输出为低电平。请参阅器件功能模式 部分,了解更多详细信息。

与隔离式电源结合使用时,该器件有助于防止数据总线或者其他电路中的噪声电流进入本地接地端,进而干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布局技术,ISO7841 器件的电磁兼容性得到了显著增强,可轻松满足系统级 ESD、EFT、浪涌和辐射方面的要求。

ISO7841 器件采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装。

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应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

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评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
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TI.com 上无现货
评估板

ISO7842-EVM — 高抗干扰能力,5.7kVRMS 增强型四通道 2/2 数字隔离器评估模块

ISO7842 可提供符合 UL 标准的长达 1 分钟且高达 5700 VRMS 的电流隔离,以及符合 VDE 标准的 8000 VPK 的隔离。此器件具有四个隔离通道,并包含由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅隔离的逻辑输入和输出缓冲器。与隔离式电源一起使用时,此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端并干扰或损坏敏感电路。

ISO7842-EVM 可帮助设计人员评估器件性能,支持快速开发并分析隔离式系统。该 EVM 支持评估任何位于 16 引脚 SOIC 封装中的 TI 四通道数字隔离器。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO7841 IBIS Model (Rev. A)

SLLM267A.ZIP (52 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7841F IBIS Model (Rev. A)

SLLM277A.ZIP (52 KB) - IBIS Model
参考设计

TIDA-010272 — 适用于储能系统的 1500V 高压机架监测单元参考设计

This reference design is a high-voltage, current and insulation impedance accuracy lithium-ion (Li-ion), LiFePO4 battery rack. The design monitors four high-voltage bus inputs, one shunt current and temperature, and one insulation impedance of the battery. The design protects the battery rack to (...)
设计指南: PDF
参考设计

TIDA-01576 — 具有 16 位 1MSPS 双路同步采样 ADC 的高精度模拟输入模块参考设计

此参考设计可在宽输入范围内使用精密的 16 位 SAR ADC 准确测量 16 通道交流电压和电流输入。该范围涵盖了保护和测量要求(包括符合 IEC 61850-9-2 的采样要求),可简化系统设计并改善跳闸时间可重复性、性能和可靠性。此参考设计使用带有集成电源转换器的数字隔离器或使用六通道数字隔离器将交流模拟输入模块 (AIM) 与主机处理器相隔离。在最简单的配置中,仅使用五个 TI 产品即可设计出完整的 AC AIM,因此可优化系统成本和尺寸。警报功能可基于样本确定交流 AIM 故障,从而更快地检测故障。ADC (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01214 — 采用 16 位 ADC 和数字隔离器的隔离式高精度模拟输入模块参考设计

This reference design provides accurate measurements of AC voltage and current inputs using a precision 16-bit SAR ADC over a wide input range, covering protection and measurement range (including sampling requirements of IEC 61850-9-2), simplifying system design and improving trip time (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频