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Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.2 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1.2 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 8, 14.5 Clearance (min) (mm) 8, 14.5
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWW) 16 177.675 mm² 10.3 x 17.25
  • 信令速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,每通道电流典型值为 1.8mA(1Mbps 时)
  • 低传播延迟:典型值为 11ns (5V 电源)
  • 卓越的 CMTI(下限值):±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 25 年
  • SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
  • 安全和监管批准:
    • 8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
    • 已完成所有 DW 封装认证;已完成符合 UL、VDE 标准的 DWW 封装认证,并已针对 VDE、CSA 和 CQC 进行规划
  • 信令速率:高达 100Mbps
  • 宽电源电压范围:2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 宽温度范围:-55°C 至 125°C
  • 低功耗,每通道电流典型值为 1.8mA(1Mbps 时)
  • 低传播延迟:典型值为 11ns (5V 电源)
  • 卓越的 CMTI(下限值):±100kV/µs
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
  • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
  • 低辐射
  • 隔离栅寿命:> 25 年
  • SOIC-16 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装选项
  • 安全和监管批准:
    • 8000VPK 增强型隔离,符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10): 2006-12
    • 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
    • CSA 组件验收通知 5A、IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
    • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
    • 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
    • 已完成所有 DW 封装认证;已完成符合 UL、VDE 标准的 DWW 封装认证,并已针对 VDE、CSA 和 CQC 进行规划

ISO782 1 是一款高性能双通道数字隔离器,隔离电压高达 8000 VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。该隔离器以低功耗提供高电磁抗扰度和低辐射,同时隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。每个隔离通道都有逻辑输入和输出缓冲器,由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅隔离。 ISO7821 具有一个正向通道和一个反向通道。。如果输入功率或信号丢失,ISO782 1 器件默认输出‘高电平’,ISO782 1F 器件默认输出‘低电平’。与隔离式电源一起使用时,这款器件可防止数据总线或者其他电路上的噪音电流进入本地接地和干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布线技术,ISO782 1 的电磁兼容性得到了显著增强,从而可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。ISO782 1 可采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装 。 DWW 封装选项带有使能引脚,可用于将各自输出置于高阻抗,适用于多主驱动应用并降低功耗。

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ISO782 1 是一款高性能双通道数字隔离器,隔离电压高达 8000 VPK。该器件已通过符合 VDE、CSA、CQC 和 TUV 标准的增强型隔离认证。该隔离器以低功耗提供高电磁抗扰度和低辐射,同时隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O。每个隔离通道都有逻辑输入和输出缓冲器,由二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅隔离。 ISO7821 具有一个正向通道和一个反向通道。。如果输入功率或信号丢失,ISO782 1 器件默认输出‘高电平’,ISO782 1F 器件默认输出‘低电平’。与隔离式电源一起使用时,这款器件可防止数据总线或者其他电路上的噪音电流进入本地接地和干扰或损坏敏感电路。凭借创新的芯片设计和布线技术,ISO782 1 的电磁兼容性得到了显著增强,从而可确保提供系统级 ESD、EFT 和浪涌保护并符合辐射标准。ISO782 1 可采用 16 引脚 SOIC 宽体 (DW) 和超宽体 (DWW) 封装 。 DWW 封装选项带有使能引脚,可用于将各自输出置于高阻抗,适用于多主驱动应用并降低功耗。

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类型 标题 下载最新的英语版本 日期
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EVM 用户指南 ISO784xx Quad-Channel Digital Isolator EVM User Guide 2014年 10月 17日
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白皮书 High-voltage reinforced isolation: Definitions and test methodologies 2014年 10月 16日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

ISO7842-EVM — 高抗干扰能力,5.7kVRMS 增强型四通道 2/2 数字隔离器评估模块

ISO7842 可提供符合 UL 标准的长达 1 分钟且高达 5700 VRMS 的电流隔离,以及符合 VDE 标准的 8000 VPK 的隔离。此器件具有四个隔离通道,并包含由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅隔离的逻辑输入和输出缓冲器。与隔离式电源一起使用时,此器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地端并干扰或损坏敏感电路。

ISO7842-EVM 可帮助设计人员评估器件性能,支持快速开发并分析隔离式系统。该 EVM 支持评估任何位于 16 引脚 SOIC 封装中的 TI 四通道数字隔离器。

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO7821 IBIS Model (Rev. A)

SLLM266A.ZIP (52 KB) - IBIS Model
仿真模型

ISO7821F IBIS Model (Rev. B)

SLLM276B.ZIP (52 KB) - IBIS Model
参考设计

TIDA-00785 — 隔离式 GaN 驱动器参考设计

该参考设计包含一个增强型双通道数字隔离器、一个 GaN 栅极驱动器和多个隔离式电源。该紧凑型参考设计旨在控制电源、直流到直流转换器、同步整流、太阳能逆变器和电机控制中的 GaN。适用于栅极驱动器且基于开环推挽拓扑的电源可在 PCB 布线中提供灵活性。TIDA-00785 中使用的推挽式变压器驱动器以 300 kHz 的频率运行,这有助于减小隔离变压器的尺寸,从而实现紧凑的电源解决方案。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
SOIC (DWW) 16 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频