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ISO7721-Q1

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EMC 性能优异的汽车类双通道、1/1、增强型数字隔离器

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产品详情

Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107, 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Rating Automotive Integrated isolated power No Isolation rating Basic, Reinforced Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 10000, 12800 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242, 7071, 8000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000, 5000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107, 0.011 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 1 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.6 Creepage (min) (mm) 4, 8, 8.5 Clearance (min) (mm) 4, 8, 8.5 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3 SOIC (DWV) 8 67.275 mm² 5.85 x 11.5
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 功能安全型
  • 100Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1.5 kVRMS 工作电压下预计寿命超过 30 年
    • 隔离等级高达 5000VRMS
    • 浪涌能力高达 12.8kV
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO772x) 和低电平 (ISO772xF) 选项
  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟：11ns（典型值）
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低干扰 (EMI)
  • 宽体 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 安全相关认证
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
    • 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 3A
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
  • 功能安全型
  • 100Mbps 数据速率
  • 稳健可靠的隔离栅：
    • 在 1.5 kVRMS 工作电压下预计寿命超过 30 年
    • 隔离等级高达 5000VRMS
    • 浪涌能力高达 12.8kV
    • CMTI 典型值为 ±100kV/µs
  • 宽电源电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 2.25V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO772x) 和低电平 (ISO772xF) 选项
  • 低功耗，1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.7mA
  • 低传播延迟：11ns（典型值）
  • 优异的电磁兼容性 (EMC)
    • 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰性
    • 在整个隔离栅具有 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
    • 低干扰 (EMI)
  • 宽体 SOIC（DW-16、DWV-8）和窄体 SOIC (D-8) 封装选项
  • 安全相关认证
    • 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 VDE 增强型绝缘
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证

ISO772x-Q1 器件是一款高性能双通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封装）隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道，而 ISO7721-Q1 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。有关更多详细信息，请参阅器件功能模式 部分。

这些器件与隔离式电源结合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等数据总线损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术，ISO772x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW)、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。

ISO772x-Q1 器件是一款高性能双通道数字隔离器，可提供符合 UL 1577 标准的 5000VRMS（DW 和 DWV ）和 3000VRMS（D 封装）隔离额定值。该系列包含的器件具有符合 VDE、CSA、TUV 和 CQC 标准的增强绝缘等级。

在隔离互补金属氧化物半导体 (CMOS) 或者低电压互补金属氧化物半导体 (LVCMOS) 数字 I/O 的同时，ISO772x-Q1 器件还可提供高电磁抗扰度和低辐射，同时具备低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由双电容二氧化硅 (SiO2) 绝缘栅相隔离。ISO7720-Q1 器件具有两条同向通道，而 ISO7721-Q1 器件具有两条反向通道。如果输入功率或信号出现损失，不带后缀 F 的器件默认输出高电平，带后缀 F 的器件默认输出低电平。有关更多详细信息，请参阅器件功能模式 部分。

这些器件与隔离式电源结合使用，有助于防止 CAN 和 LIN 等数据总线损坏敏感电路。凭借创新型芯片设计和布线技术，ISO772x-Q1 器件的电磁兼容性得到了显著增强，可缓解系统级 ESD、EFT 和浪涌问题并符合辐射标准。ISO772x-Q1 系列器件可提供 16 引脚 SOIC 宽体 (DW)、8 引脚 SOIC 宽体 (DWV) 和 8 引脚 SOIC 窄体 (D) 封装。
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM)，用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件：8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项，支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
评估板

ISO7721DEVM — EMC 性能优异的 D 封装 ISO7721 高速双通道数字隔离器评估模块

ISO7721DEVM 是一款用于评估采用 8 引脚窄体 SOIC 封装（封装代码 - D）的高性能增强型双通道数字隔离器 ISO7721 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项，支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
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ISO7741EVM 是一款用于评估采用宽体 SOIC 封装（封装代码 - DW）的高性能增强型四通道数字隔离器 ISO7741 的评估模块。此 EVM 具有足够的测试点和跳线选项，支持使用最少的外部组件来评估相应器件。
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仿真模型

ISO7721 IBIS Model (Rev. B)

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仿真模型

ISO7721 PSpice Transient Model

SLLM474.ZIP (183 KB) - PSpice Model
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参考设计

TIDA-01605 — 具有两级关断保护功能的汽车类双通道 SiC MOSFET 栅极驱动器参考设计

此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V 和 –4V 输出电压以及 1W 输出功率。栅极驱动器能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器实现了增强型隔离，可承受 8kV 峰值隔离电压和 5.7kV RMS 隔离电压以及超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。此参考设计包含两级关断电路，可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。DESAT 检测阈值和第二级关断延迟时间是可配置的。此设计采用 (...)
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  • MTBF/时基故障估算
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  • 鉴定摘要
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包含信息：
  • 制造厂地点
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