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open-in-new 比较替代产品
功能优于所比较器件的普遍直接替代产品
ISO7710 正在供货 EMC 性能优异的单通道、增强型数字隔离器 Pin-to-pin upgrade with higher isolation, stronger CMTI, wider supply range and better immunity

产品详情

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High Data rate (max) (Mbps) 150 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 4000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 2500 CMTI (min) (V/µs) 25000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5 Supply voltage (min) (V) 3.3 Propagation delay time (typ) (µs) 0.017 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 4.3 Creepage (min) (mm) 6 Clearance (min) (mm) 6
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 1 Forward/reverse channels 1 forward / 0 reverse Default output High Data rate (max) (Mbps) 150 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 4000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4000 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 2500 CMTI (min) (V/µs) 25000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5 Supply voltage (min) (V) 3.3 Propagation delay time (typ) (µs) 0.017 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 4.3 Creepage (min) (mm) 6 Clearance (min) (mm) 6
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 100Mbps 和 150Mbps 信令速率选项
  • 传播延迟为 12ns(典型值)。
  • 脉冲偏移为 0.5ns(典型值)。
  • 低功耗睡眠模式
  • 额定工作电压下的使用寿命典型值为 28 年(请参阅隔离寿命预测)

  • 高电磁抗扰度(请参阅应用手册ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度
  • 失效防护输出
  • 大多数光隔离器和磁隔离器的直接替代产品
  • 由 3.3V 和 5V 电源供电
  • -40°C 至 +125°C 工作温度范围
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1 认证
  • 100Mbps 和 150Mbps 信令速率选项
  • 传播延迟为 12ns(典型值)。
  • 脉冲偏移为 0.5ns(典型值)。
  • 低功耗睡眠模式
  • 额定工作电压下的使用寿命典型值为 28 年(请参阅隔离寿命预测)

  • 高电磁抗扰度(请参阅应用手册ISO72x 数字隔离器磁场抗扰度
  • 失效防护输出
  • 大多数光隔离器和磁隔离器的直接替代产品
  • 由 3.3V 和 5V 电源供电
  • -40°C 至 +125°C 工作温度范围
  • 安全相关认证:
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • UL 1577 组件认证计划
    • IEC 61010-1、IEC 62368-1 认证

ISO721、ISO721M、ISO722 和 ISO722M 器件是数字隔离器,其逻辑输入和输出缓冲器由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅进行隔离。该隔离栅可提供符合 VDE 0884-17 标准、高达 4000VPK 的电隔离。与隔离式电源一起使用时,这些器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。

对二进制输入信号进行调理并转换为平衡的信号,然后由电容式隔离层进行差分。跨越该隔离层,差分比较器可接收逻辑转换信息,然后相应地设置或重置触发器和输出电路。电路将跨越隔离层发送定期更新脉冲,以提供适当的直流输出电平。

如果没有接收到该直流刷新脉冲的时间超过 4µs,则输入被视为未通电或未被主动驱动,失效防护电路会将输出驱动至逻辑高电平状态。

这些器件需要两个 3.3V 和 5V 电源电压或二者的任意组合。通过 3.3V 电源供电时,所有输入均可耐受 5V 电压,所有输出均为 4mA CMOS。

ISO722 和 ISO722M 器件包含一个低电平有效输出使能端,当被驱动至高逻辑电平时,该使能端会将输出置于高阻抗状态并关闭内部偏置电路以节省功耗。

ISO721 和 ISO722 器件具有 TTL 输入阈值,并且在输入端具有噪声滤波器,可防止持续时间高达 2ns 的瞬态脉冲传递到器件的输出端。

ISO721M 和 ISO722M 器件具有 CMOS VCC/2 输入阈值,但没有输入噪声滤波器和额外的传播延迟。ISO721M 器件的这些特性还可以实现低抖动运行。

ISO721、ISO721M、ISO722 和 ISO722M 器件的额定工作环境温度范围为 –40°C 至 +125°C。

ISO721、ISO721M、ISO722 和 ISO722M 器件是数字隔离器,其逻辑输入和输出缓冲器由二氧化硅 (SiO2) 绝缘隔栅进行隔离。该隔离栅可提供符合 VDE 0884-17 标准、高达 4000VPK 的电隔离。与隔离式电源一起使用时,这些器件可防止数据总线或者其他电路上的噪声电流进入本地接地并且干扰或损坏敏感电路。

对二进制输入信号进行调理并转换为平衡的信号,然后由电容式隔离层进行差分。跨越该隔离层,差分比较器可接收逻辑转换信息,然后相应地设置或重置触发器和输出电路。电路将跨越隔离层发送定期更新脉冲,以提供适当的直流输出电平。

如果没有接收到该直流刷新脉冲的时间超过 4µs,则输入被视为未通电或未被主动驱动,失效防护电路会将输出驱动至逻辑高电平状态。

这些器件需要两个 3.3V 和 5V 电源电压或二者的任意组合。通过 3.3V 电源供电时,所有输入均可耐受 5V 电压,所有输出均为 4mA CMOS。

ISO722 和 ISO722M 器件包含一个低电平有效输出使能端,当被驱动至高逻辑电平时,该使能端会将输出置于高阻抗状态并关闭内部偏置电路以节省功耗。

ISO721 和 ISO722 器件具有 TTL 输入阈值,并且在输入端具有噪声滤波器,可防止持续时间高达 2ns 的瞬态脉冲传递到器件的输出端。

ISO721M 和 ISO722M 器件具有 CMOS VCC/2 输入阈值,但没有输入噪声滤波器和额外的传播延迟。ISO721M 器件的这些特性还可以实现低抖动运行。

ISO721、ISO721M、ISO722 和 ISO722M 器件的额定工作环境温度范围为 –40°C 至 +125°C。

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技术文档

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应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

DIGI-ISO-EVM — 通用数字隔离器评估模块

DIGI-ISO-EVM 是一个评估模块 (EVM),用于评估 TI 采用以下五种不同封装的任何单通道、双通道、三通道、四通道或六通道数字隔离器器件:8 引脚窄体 SOIC (D)、8 引脚宽体 SOIC (DWV)、16 引脚宽体 SOIC (DW)、16 引脚超宽体 SOIC (DWW) 和 16 引脚 QSOP (DBQ) 封装。此 EVM 具有足够的 Berg 引脚选项,支持使用超少的外部元件来评估相应器件。

用户指南: PDF | HTML
英语版: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

ISO72x IBIS Model (Rev. A)

SLLC282A.ZIP (15 KB) - IBIS Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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