ESDS312
- IEC 61000-4-2 ESD 保护：
- ±30kV 接触放电
- ±30kV 空气间隙放电
- IEC 61000-4-4 EFT 保护：
- 80A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5 浪涌保护：
- 25A (8/20µs)
- IO 电容：
- 4.5pF（典型值）
- 直流击穿电压：5.5V（最小值）
- 超低漏电流：5nA（典型值）
- 支持速率高达 5Gbps 的高速接口
- 工业温度范围：–40°C 至 +125°C
- 简易直通布线封装 (ESDS312)
ESDS31x 器件是一种单向 TVS ESD 保护二极管阵列，用于高达 25A (8/20µs) 的以太网、USB 和通用数据线路浪涌保护。ESDS31x 器件旨在耗散那些高于 IEC61000-4-2 国际标准（4 级）中规定的最高水平的 ESD 冲击。
这些器件具有每通道 4.5pF IO 电容，因此非常适用于保护 Ethernet 10/100/1000、USB 2.0 和 GPIO 等高速接口。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | ESDS31x 数据线路浪涌和 ESD 保护二极管矩阵 数据表 (Rev. C) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.C) | PDF | HTML | 2024年 2月 5日 |
| 应用手册 | 用于 USB 接口的 ESD 和浪涌保护 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 1月 23日 | |
| 应用手册 | ESD 包装和布局指南 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 9月 14日 | |
| 应用手册 | 保护以太网端口免受浪涌事件的影响 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2022年 8月 23日 | |
| 白皮书 | Demystifying surge protection | 2018年 11月 6日 |
设计和开发
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评估板
ESDEVM — ESD 评估模块
静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件，该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构，然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管，则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管，则应采用有布线连接到测试点的封装结构，以便轻松运行直流测试，例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置，轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
参考设计
TIDA-010046 — 采用 IEEE 802.3at 1 类 (≤ 12.95W) PoE-PD、符合 EMC 标准的 10/100Mbps 以太网 PHY 参考设计
此参考设计经过优化，适用于 10Mbps 至 100Mbps 带宽，使用低功耗以太网物理层 (PHY) DP83825，支持 150m CAT5e 电缆长度，该长度超出了标准以太网距离限制 100m（328 英尺）。此设计使用 IEEE802.3at 1 类 (13W) PoE-PD TPS23755 器件和采用集成式初级侧调节的反激式直流/直流控制器，通过以太网电缆进行电力输送和数据通信。此参考设计针对辐射发射、ESD 和 EFT 进行了预合规性测试。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息：
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。