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Package name SOT-23-3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 85 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 2.3 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 12 Features Surge protection Clamping voltage (V) 6 Interface type Ethernet, GPIO, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name SOT-23-3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 85 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 2.3 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 12 Features Surge protection Clamping voltage (V) 6 Interface type Ethernet, GPIO, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 12A (8/20µs)
    • 低浪涌钳位电压为 6V(在 12A Ipp 下)
  • IO 电容:
    • 2.3pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 超低漏电流:3nA(典型值)
  • 支持速率高达 1Gbps 的高速接口
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 简易直通布线封装 (ESDS302)
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 12A (8/20µs)
    • 低浪涌钳位电压为 6V(在 12A Ipp 下)
  • IO 电容:
    • 2.3pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 超低漏电流:3nA(典型值)
  • 支持速率高达 1Gbps 的高速接口
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 简易直通布线封装 (ESDS302)

ESDS302 和 ESDS304 器件是分别采用两通道和四通道配置的单向 TVS ESD 保护二极管阵列,用于高达 12A (8/20µs) 的以太网和 USB 浪涌保护。ESDS302、ESDS304 器件的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(> 4 级)。

这些器件具有每通道 2.3pF IO 电容,因此非常适用于保护 Ethernet™ 1G 和 USB 2.0 等高速接口。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。

ESDS302 和 ESDS304 器件采用业界通用的 5 引脚 SOT23 封装。

ESDS302 和 ESDS304 器件是分别采用两通道和四通道配置的单向 TVS ESD 保护二极管阵列,用于高达 12A (8/20µs) 的以太网和 USB 浪涌保护。ESDS302、ESDS304 器件的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(> 4 级)。

这些器件具有每通道 2.3pF IO 电容,因此非常适用于保护 Ethernet™ 1G 和 USB 2.0 等高速接口。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。

ESDS302 和 ESDS304 器件采用业界通用的 5 引脚 SOT23 封装。

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设计和开发

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评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

ESDS304 S-Parameter Model

SLVMCS9.ZIP (37 KB) - S-Parameter Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

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