ESDS304
- IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
- ±30kV 接触放电
- ±30kV 空气间隙放电
- IEC 61000-4-4 EFT 保护:
- 80A (5/50ns)
- IEC 61000-4-5 浪涌保护:
- 12A (8/20µs)
- 低浪涌钳位电压为 6V(在 12A Ipp 下)
- IO 电容:
- 2.3pF(典型值)
- 直流击穿电压:4.5V(最小值)
- 超低漏电流:3nA(典型值)
- 支持速率高达 1Gbps 的高速接口
- 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
- 简易直通布线封装 (ESDS302)
ESDS302 和 ESDS304 器件是分别采用两通道和四通道配置的单向 TVS ESD 保护二极管阵列,用于高达 12A (8/20µs) 的以太网和 USB 浪涌保护。ESDS302、ESDS304 器件的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(> 4 级)。
这些器件具有每通道 2.3pF IO 电容,因此非常适用于保护 Ethernet™ 1G 和 USB 2.0 等高速接口。低动态电阻和低钳位电压支持针对瞬态事件提供系统级保护。
ESDS302 和 ESDS304 器件采用业界通用的 5 引脚 SOT23 封装。
技术文档
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* | 数据表 | ESDS30x 适用于高速接口的数据线浪涌和 ESD 保护器件 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 2月 6日 |
应用手册 | 用于 USB 接口的 ESD 和浪涌保护 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 1月 23日 | |
应用简报 | 为 GPIO 引脚提供 ESD 保护 | PDF | HTML | 英语版 | PDF | HTML | 2024年 1月 9日 | |
应用手册 | 高速信号的电容要求 (Rev. A) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 8月 25日 | |
应用手册 | ESD 包装和布局指南 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2022年 9月 14日 | |
应用简报 | 保护 I/O 模块免受浪涌事件的影响 | PDF | HTML | 英语版 | 2021年 5月 5日 | ||
白皮书 | Demystifying surge protection | 2018年 11月 6日 | ||||
应用简报 | Choosing the Correct Models for ESD Devices | 2018年 5月 11日 |
设计和开发
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评估板
ESDEVM — ESD 评估模块
静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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SOT-23 (DBV) | 5 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。