产品详情

Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 36 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 1.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 6.5 Dynamic resistance (typ) 0.1 Interface type Audio, GPIO, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN1006 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 36 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 1.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 6.5 Dynamic resistance (typ) 0.1 Interface type Audio, GPIO, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 4 级静电放电 (ESD) 保护
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 6A (8µs/20µs)
  • IO 电容:1.8pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 低泄漏电流 0.1nA(典型值)
  • 极低 ESD 钳位电压
    • 在 16A TLP 下为 6.5V(I/O 引脚至 GND)
    • RDYN:0.1Ω(I/O 引脚至 GND)
  • 工业温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 行业标准的 0402 封装 (DFN1006P2)
  • IEC 61000-4-2 4 级静电放电 (ESD) 保护
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 气隙放电
  • IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护
    • 6A (8µs/20µs)
  • IO 电容:1.8pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 低泄漏电流 0.1nA(典型值)
  • 极低 ESD 钳位电压
    • 在 16A TLP 下为 6.5V(I/O 引脚至 GND)
    • RDYN:0.1Ω(I/O 引脚至 GND)
  • 工业温度范围:-40°C 至 +125°C
  • 行业标准的 0402 封装 (DFN1006P2)

ESD351 是一种单向 TVS ESD 保护二极管,具有低动态电阻 RDYN 和低钳位电压。ESD351 的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV(接触放电和空气放电),级别符合 IEC 61000-4-2 标准。超低动态电阻 (0.1Ω) 和极低钳位电压(16A TLP 时为 6.5V)可针对瞬变事件提供系统级保护。该器件的电容为 1.8pF(典型值),因此非常适用于保护 USB 2.0 等接口。

ESD351 采用符合行业标准的 0402 (DPY/DFN1006P2) 封装。

ESD351 是一种单向 TVS ESD 保护二极管,具有低动态电阻 RDYN 和低钳位电压。ESD351 的额定 ESD 冲击消散值高达 30kV(接触放电和空气放电),级别符合 IEC 61000-4-2 标准。超低动态电阻 (0.1Ω) 和极低钳位电压(16A TLP 时为 6.5V)可针对瞬变事件提供系统级保护。该器件的电容为 1.8pF(典型值),因此非常适用于保护 USB 2.0 等接口。

ESD351 采用符合行业标准的 0402 (DPY/DFN1006P2) 封装。

下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 4
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 采用 0402 封装的低钳位电压 ESD351 单通道 30kV ESD 保护二极管 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2018年 7月 30日
应用简报 为 GPIO 引脚提供 ESD 保护 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2024年 1月 9日
应用手册 ESD 包装和布局指南 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2022年 9月 14日
白皮书 Demystifying surge protection 2018年 11月 6日

设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
TI.com 上无现货
仿真模型

ESD351 S-Parameter Model

SLVMCQ4.ZIP (20 KB) - S-Parameter Model
参考设计

TIDA-010002 — 将铂 RTD 传感器替换为数字温度传感器参考设计

This reference design for the differential temperature measurement (DTM) subsystem of heat and cooling meters provides a fully digital alternative to thin-film platinum Resistance Temperature Detector (RTD) sensors. The Precision Temperature Sensor (PTS) achieves Class A RTD sensor accuracy from (...)
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP40496 — 具有 5V USB 的 2 节电池升压充电系统参考设计

这款 5V USB、2 芯电池升压充电器参考设计包括充电器系统和 2 芯电池座,并带有可通过电缆连接或独立工作的电量监测计。充电器系统的关键组件包括 BQ25883 升压充电器、TUSB320LAI Type-C CC 逻辑、MSP430FR2433 微控制器 (MCU)、OLED 显示屏、USB Type-C 和 Micro B 连接器。电池电量监测计为 BQ28Z610,与 BQ25883 的内部 ADC 相结合,用于显示充电和电池参数。该设计可通过信号连接器 J5 连接到您自己的系统,使其成为插件式即用型解决方案。该设计适合便携式电子产品应用,例如 (...)
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

视频