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Package name DFN1006, SOD523 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 3.6 Bi-/uni-directional Uni-Directional Number of channels 1 IO capacitance (typ) (pF) 0.9 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 6 Clamping voltage (V) 6.8 Dynamic resistance (typ) 0.13 Interface type Audio, Ethernet, GPIO, Keypad, USB 2.0 Breakdown voltage (min) (V) 4.5 IO leakage current (max) (nA) 10 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
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SOT-5X3 (DYA) 2 1.28 mm² 1.6 x 0.8 X1SON (DPY) 2 0.6 mm² 1 x 0.6
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 6A (8µs/20µs)
  • IO 电容:0.9pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 低漏电流:0.1nA(典型值)
  • 超低的 ESD 钳位电压:
    • 在 16A TLP 下为 6.8V(I/O 至 GND)
    • RDYN:0.13Ω(I/O 至 GND)
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 业界通用的 0402 (DFN1006P2) 和 SOD-523 封装
  • IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护:
    • ±30kV 接触放电
    • ±30kV 空气间隙放电
  • IEC 61000-4-4 EFT 保护:
    • 80A (5/50ns)
  • IEC 61000-4-5 浪涌保护:
    • 6A (8µs/20µs)
  • IO 电容:0.9pF(典型值)
  • 直流击穿电压:4.5V(最小值)
  • 低漏电流:0.1nA(典型值)
  • 超低的 ESD 钳位电压:
    • 在 16A TLP 下为 6.8V(I/O 至 GND)
    • RDYN:0.13Ω(I/O 至 GND)
  • 工业温度范围:–40°C 至 +125°C
  • 业界通用的 0402 (DFN1006P2) 和 SOD-523 封装

ESD321 是一款单向 TVS ESD 保护二极管,具有低动态电阻和低钳位电压。ESD321 的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(高于 4 级)。

超低动态电阻 (0.13Ω) 和极低钳位电压(16A TLP 时为 6.8V)可针对瞬态事件提供系统级保护。该器件具有 0.9pF 的低 IO 电容,适合用于保护 USB 2.0 和以太网 10/100/1000Mbps 等接口。

ESD321 采用业界通用的 0402 (DPY/DFN1006P2) 和 SOD-523 (DYA) 封装。

ESD321 是一款单向 TVS ESD 保护二极管,具有低动态电阻和低钳位电压。ESD321 的额定 ESD 冲击消散值高达 ±30kV,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(高于 4 级)。

超低动态电阻 (0.13Ω) 和极低钳位电压(16A TLP 时为 6.8V)可针对瞬态事件提供系统级保护。该器件具有 0.9pF 的低 IO 电容,适合用于保护 USB 2.0 和以太网 10/100/1000Mbps 等接口。

ESD321 采用业界通用的 0402 (DPY/DFN1006P2) 和 SOD-523 (DYA) 封装。

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* 数据表 ESD321 采用 0402 和 SOD-523 封装的 低电容(小于 1pF)单通道 30kV ESD 保护二极管 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 10月 25日
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设计和开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

评估板

ESDEVM — ESD 评估模块

静电敏感器件 (ESD) 评估模块 (EVM) 是用于 TI 大部分 ESD 产品系列的开发平台。为了测试任何型号的器件,该电路板支持所有传统的 ESD 封装结构。器件可以焊接到相应封装结构,然后进行测试。如果是典型的高速 ESD 二极管,则应采用阻抗受控布局来获取 S 参数并剥离电路板引线。如果是非高速 ESD 二极管,则应采用有布线连接到测试点的封装结构,以便轻松运行直流测试,例如击穿电压、保持电压、漏电流等。该电路板布局布线还可以通过将信号引脚短接至信号所在的位置,轻松地将任何器件引脚连接到电源 (VCC) 或地。
用户指南: PDF | HTML
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仿真模型

ESD321 PSpice Model

SLVMDU6.ZIP (86 KB) - PSpice Model
仿真模型

ESD321 S-Parameter Model

SLVMCQ5.ZIP (30 KB) - S-Parameter Model
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-5X3 (DYA) 2 Ultra Librarian
X1SON (DPY) 2 Ultra Librarian

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

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