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DRV8303

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具有电流分流放大器和 SPI 的最大 65V 三相栅极驱动器

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Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1.7 Vs (min) (V) 6 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, SPI/I2C Operating temperature range (°C) -40 to 125
Rating Catalog Architecture Gate driver Control interface 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1.7 Vs (min) (V) 6 Vs ABS (max) (V) 65 Features Current sense Amplifier, SPI/I2C Operating temperature range (°C) -40 to 125
HTSSOP (DCA) 48 101.25 mm² 12.5 x 8.1
  • 6V 至 60V 工作电源电压范围
  • 1.7A 拉电流和 2.3A 灌电流栅极驱动电流能力
  • 具有用于降低 EMI 的转换率控制
  • 支持 100% 占空比的自举栅极驱动器
  • 6 种或 3 种脉宽调制 (PWM) 输入模式
  • 具有可调节增益和偏移的双集成电流分流放大器
  • 支持 3.3V 和 5V 接口
  • 串行外设接口 (SPI)
  • DRV8303 中的 特性：
    • 可编程死区控制 (DTC)
    • 可编程过流保护 (OCP)
    • PVDD 和 GVDD 欠压锁定 (UVLO)
    • GVDD 过压锁定 (OVLO)
    • 过热警告/关断 (OTW/OTS)
    • 通过 nFAULT、nOCTW 和 SPI 寄存器进行报告
  • 6V 至 60V 工作电源电压范围
  • 1.7A 拉电流和 2.3A 灌电流栅极驱动电流能力
  • 具有用于降低 EMI 的转换率控制
  • 支持 100% 占空比的自举栅极驱动器
  • 6 种或 3 种脉宽调制 (PWM) 输入模式
  • 具有可调节增益和偏移的双集成电流分流放大器
  • 支持 3.3V 和 5V 接口
  • 串行外设接口 (SPI)
  • DRV8303 中的 特性：
    • 可编程死区控制 (DTC)
    • 可编程过流保护 (OCP)
    • PVDD 和 GVDD 欠压锁定 (UVLO)
    • GVDD 过压锁定 (OVLO)
    • 过热警告/关断 (OTW/OTS)
    • 通过 nFAULT、nOCTW 和 SPI 寄存器进行报告

DRV8303 是一款适用于三相电机驱动应用的栅极驱动器 IC。该器件提供三个半桥驱动器，每个驱动器能够驱动两个 N 通道 MOSFET。该器件最高支持 1.7A 拉电流和 2.3A 峰值电流。DRV8303 可在 6V 至 60V 的宽电源范围内，在单一电源供电下运行。它采用自举栅极驱动器架构和涓流充电电路来支持 100% 占空比。DRV8303 在切换高侧或低侧 MOSFET 时使用自动握手机制，以防止发生电流击穿。高侧和低侧 MOSFET 的集成 VDS 感测用于防止外部功率级出现过流现象。

DRV8303 具有两个针对电流进行精确测量的分流放大器。这两个放大器支持双向电流感测，可提供高达 3V 的可调节输出失调电压。

串行外设接口 (SPI) 提供详细的故障报告和灵活的参数设置，例如电流分流放大器的增益选项和栅极驱动器的转换率控制。

DRV8303 是一款适用于三相电机驱动应用的栅极驱动器 IC。该器件提供三个半桥驱动器，每个驱动器能够驱动两个 N 通道 MOSFET。该器件最高支持 1.7A 拉电流和 2.3A 峰值电流。DRV8303 可在 6V 至 60V 的宽电源范围内，在单一电源供电下运行。它采用自举栅极驱动器架构和涓流充电电路来支持 100% 占空比。DRV8303 在切换高侧或低侧 MOSFET 时使用自动握手机制，以防止发生电流击穿。高侧和低侧 MOSFET 的集成 VDS 感测用于防止外部功率级出现过流现象。

DRV8303 具有两个针对电流进行精确测量的分流放大器。这两个放大器支持双向电流感测，可提供高达 3V 的可调节输出失调电压。

串行外设接口 (SPI) 提供详细的故障报告和灵活的参数设置，例如电流分流放大器的增益选项和栅极驱动器的转换率控制。
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