主页 电源管理 Power stages 硅功率级
主页
电源管理
Power stages
硅功率级

CSD95372BQ5M

正在供货

60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级

立即订购
数据表

CSD95372BQ5M

正在供货
数据表 立即订购

产品详情

VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 Ploss current (A) 30 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
LSON-CLIP (DQP) 12 30 mm² 6 x 5
  • 60A 持续运行电流能力
  • 电流 30A 时，系统效率达到 93.4%
  • 电流 30A 时，2.8W 低功率损耗
  • 高频运行（高达 1.25MHz）
  • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感测
  • 模拟温度输出（0°C 时 600mV）
  • 故障监控
    • 高端短路、过流和过热保护
  • 输入电压高达 14.5V
  • 与 3.3 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 针对击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 双冷却封装
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层
  • 无卤素

应用范围

  • 多相位同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高电流、低占空比应用
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
  • 内存和图形卡
  • 台式机和服务器 VR11.x / VR12.x V 内核和存储器同步转换器
  • 60A 持续运行电流能力
  • 电流 30A 时，系统效率达到 93.4%
  • 电流 30A 时，2.8W 低功率损耗
  • 高频运行（高达 1.25MHz）
  • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式
  • 温度补偿双向电流感测
  • 模拟温度输出（0°C 时 600mV）
  • 故障监控
    • 高端短路、过流和过热保护
  • 输入电压高达 14.5V
  • 与 3.3 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容
  • 三态 PWM 输入
  • 集成型自举二极管
  • 针对击穿保护的经优化死区时间
  • 高密度小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 封装
  • 超低电感封装
  • 系统已优化的印刷电路板 (PCB) 封装
  • 双冷却封装
  • 符合 RoHS 绿色环保标准-无铅端子镀层
  • 无卤素

应用范围

  • 多相位同步降压转换器
    • 高频应用
    • 高电流、低占空比应用
  • 负载点 (POL) 直流 - 直流转换器
  • 内存和图形卡
  • 台式机和服务器 VR11.x / VR12.x V 内核和存储器同步转换器

CSD95372BQ5M NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 它还集成了准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高准确度。 此外，已经 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

CSD95372BQ5M NexFET 功率级的设计针对高功率、高密度同步降压转换器中的使用进行了高度优化。 这个产品集成了驱动器集成电路 (IC) 和功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 来完善功率级开关功能。 这个组合在小型 5mm x 6mm 外形尺寸封装中提供高电流、高效和高速开关功能。 它还集成了准确电流感测和温度感测功能，以简化系统设计并提高准确度。 此外，已经 PCB 封装进行了优化以帮助减少设计时间并简化总体系统设计的完成。

filter 查找其他 硅功率级
下载 观看带字幕的视频 视频

技术文档

star =有关此产品的 TI 精选热门文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 1
类型 标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 CSD95372BQ5M 同步降压NexFET™ 智能功率级 数据表 最新英语版本 (Rev.B) PDF | HTML 2014年 3月 29日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

仿真模型

CSD95372BQ5M PSpice Model

SLPM114.ZIP (22 KB) - PSpice Model
下载
参考设计

PMP11399 — 面向企业级以太网交换机的 PMBus 电源系统参考设计

PMP11399 是完整的 PMBus 电力系统，可以为 3 个 ASIC/FPGA 内核、DDR3 内核内存、VTT 终端供电，并为高性能以太网交换机提供辅助电压。硬件附带有 GUI，便于用户对电源执行实时配置和监控。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-00324 — POL 多相（3 相）、120A 电源参考设计

TIDA-00324 是一种可在输入电压为 12V、输出电压为 1.2V@120A 的应用中突出多相控制器 TPS53631 和智能功率级 CSD95372BQ5M 的电源参考设计。此参考设计可帮助用户开发用于 CPU Vcore 电源的电源解决方案或 DDR4 电源解决方案，从而加快开发进程和产品上市步伐。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP11184 — 适用于 ASIC 处理器的高效、高功率密度 1V/120A/30A/30A (4+1+1) 参考设计

PMP11184 是一种用于高电流 ASIC 内核电压轨调节的芯片组解决方案。它对 120A 高电流电压轨使用 TPS53647 4 相控制器，该控制器采用 DCAP+ 控制来实现快速瞬态响应，并通过 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳态和动态相间电流平衡。它还对 30A 双轨使用 TPS40428 双路控制器。这两种控制器都可以驱动 TI NexFET 智能功率级以获得高功率密度和效率。PMBus 功能和板载 NVM 有助于进行轻松设计、配置和定制，并可遥测输出电压、电流、温度和功率。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP11312 — 适用于 ASIC 处理器的高效、高功率密度、4 相 1V/120A 参考设计

PMP11312 参考设计是一款用于高电流 ASIC 内核电压轨调节的四相 PMBus 转换器。它对 120A 高电流电压轨使用 TPS53647 4 相控制器，该控制器采用 DCAP+ 控制来实现快速瞬态响应，并通过 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳态和动态相间电流平衡。TPS53647 驱动 TI NexFET 智能功率级以获得高功率密度和效率。经过优化的布局以及经过改进的板堆栈（8 层，2 盎司覆铜）实现了更高的效率和功率密度。PMBus 功能和板载 NVM 实现轻松设计、配置和定制，并可遥测输出电压、电流、温度和功率。
测试报告: PDF
原理图: PDF
参考设计

PMP10962 — 适用于 ASIC 处理器的高效可扩展 3 相 1V/90A PoL 参考设计

PMP10962 参考设计是一种用于高电流 ASIC 内核电压轨调节的三相 PMBus 转换器。它采用 DCAP+ 控制来实现快速瞬态响应，并通过 TI 专有的 AutoBalance 实现严格的稳态和动态相间电流平衡。它可以驱动三个 TI NexFET 智能功率级以获得高功率密度和效率。它可以轻松地进行伸缩以适应大负载范围。PMBus 功能和板载 NVM 有助于进行轻松设计、配置和定制，并可遥测输出电压、电流、温度和功率。
测试报告: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
LSON-CLIP (DQP) 12 Ultra Librarian
应遵守 TI 评估类商品的标准条款与条件。

订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

视频