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功能与比较器件相同,且具有相同引脚
UCC21520-Q1
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
- 器件温度 1 级
- 功能安全质量管理型
- 结温范围:–40°C 至 +150°C
- 开关参数:
- 33ns 典型传播延迟
- 20ns 最小脉冲宽度
- 6ns 最大脉宽失真
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 浪涌抗扰度高达 10kV
- 隔离层寿命 > 40 年
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 3V 至 18V 输入 VCCI 范围,可与数字控制器和模拟控制器连接
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- 可编程的重叠和死区时间
- 可针对电源时序快速禁用
- 安全相关认证:
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 8000VPK 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5.7kVRMS 隔离
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准的 CSA 认证
- 符合 GB4943.1-2022 标准的 CQC 认证
UCC21520-Q1 是一款隔离式双通道栅极驱动器,具有 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。该驱动器可用于驱动高达 5MHz 的功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。
输入侧通过一个 5.7kVRMS 增强型隔离栅与两个输出驱动器相隔离,其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。两个二次侧驱动器之间采用内部功能隔离,支持高达 1500VDC 的工作电压。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个死区时间 (DT) 可编程的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出,在保持开路或接地时允许器件正常运行。作为一种失效防护机制,初级侧逻辑故障会强制两个输出为低电平。
各个器件接受的 VDD 电源电压高达 25V。凭借 3V 至 18V 宽输入 VCCI 电压范围,该驱动器适用于连接模拟和数字控制器。所有电源电压引脚都具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。
凭借所有这些高级特性,UCC21520-Q1 能够实现高效率、高电源密度和稳健性。
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功能与比较器件相同,但引脚排列有所不同
技术文档
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评估板
UCC21520EVM-286 — UCC21520 4A/6A 隔离式双通道栅极驱动器评估模块
UCC21520EVM-286 适用于评估 UCC21520DW(一种具备 4A 源电流容量和 6A 峰值灌电流容量的隔离式双通道栅极驱动器)。此 EVM 可用作功率 MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET 的驱动参考设计,具备 UCC21520 引脚功能识别、组件选择指南以及 PCB 布局示例。
驱动程序或库
FuSa supporting document
模拟工具
PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®
PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
借助 PSpice for TI 的设计和仿真环境及其内置的模型库,您可对复杂的混合信号设计进行仿真。创建完整的终端设备设计和原型解决方案,然后再进行布局和制造,可缩短产品上市时间并降低开发成本。
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参考设计
TIDA-01604 — 效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计
此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建,该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行,在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下可实现 98.46% 的效率。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制,从而改善轻载条件下的功率因数。栅极驱动器板(请参阅 TIDA-01605)能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板实现了增强型隔离,可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (...)
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
---|---|---|
SOIC (DW) | 16 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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