TPS54116-Q1
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果:
- 器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
- 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 单片 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案
- 4A 同步降压转换器
- 集成了 33mΩ 高侧和 25mΩ 低侧金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 固定频率电流模式控制
- 可调频率范围:100kHz 至 2.5MHz
- 与一个外部时钟同步
- 整个温度范围内的电压基准为 0.6V ± 1%
- 可调逐周期峰值电流限制
- 针对预偏置输出的单调性启动
- 直流精度为 ±20mV 的 1A 拉/灌电流终端低压降 (LDO) 稳压器
- 与 2 × 10µF 多层陶瓷电容 (MLCC) 电容一起工作时保持稳定
- 10mA 拉/灌电流缓冲参考输出稳定在 VDDQ 的 49% 至 51% 之间
- 独立使能引脚,欠压闭锁 (UVLO) 和迟滞均可调
- 热关断
- 运行温度 (TJ) 范围:-40°C 至 150°C
- 24 引脚 4mm x 4mm 超薄四方扁平无引线 (WSON) 封装
应用
- 嵌入式计算系统中的 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 存储器电源
- SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、SSTL_12 和 HSTL 终端
- 信息娱乐和仪表板
- 先进的驾驶员辅助系统 (ADAS)
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TPS54116-Q1 器件是一款功能全面的 6V、4A 同步降压转换器,其配有两个集成型 MOSFET 以及带 VTTREF 缓冲参考输出的 1A 拉/灌电流双倍数据速率 (DDR) VTT 终端稳压器。
TPS54116-Q1 降压稳压器通过集成 MOSFET 和减小电感尺寸来最大限度减小解决方案尺寸,开关频率最高达 2.5MHz。开关频率可设置在中波频段以上以满足噪声敏感型 应用 的需求,而且能够与外部时钟同步。同步整流使频率在整个输出负载范围内保持为固定值。效率通过集成 25mΩ 低侧 MOSFET 和 33mΩ 高侧 MOSFET 得到了最大限度的提升。逐周期峰值电流限制在过流状态下保护器件,并且可通过 ILIM 引脚上的电阻进行调整,从而针对小尺寸电感进行优化。
VTT 终端稳压器仅利用 2 × 10µF 的陶瓷输出电容即可保持快速瞬态响应,从而减少外部组件数量。TPS54116-Q1 使用 VTT 进行远程感测,从而实现最佳的稳压效果。
该器件可利用使能引脚进入关断模式,从而使电源电流降至 1µA。欠压闭锁阈值可通过任一使能引脚上的电阻网络进行设置。VTT 和 VTTREF 输出被 ENLDO 禁用时会进行放电。
该器件具备全集成特性,并且采用小尺寸的 4mm × 4mm 耐热增强型 WQFN 封装,最大限度地减小了 IC 尺寸。
技术文档
类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | TPS54116-Q1 2.95V 至 6V 输入、4A 降压转换器和 1A 拉/灌电流 DDR 终端稳压器 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 最新英语版本 (Rev.B) | PDF | HTML | 2016年 10月 18日 |
用户指南 | Single LP8733-Q1 User's Guide to Power DRA78x and TDA3 (Rev. A) | PDF | HTML | 2021年 3月 31日 | |||
应用手册 | DDR VTT Power Solutions: A Competitive Analysis (Rev. A) | 2020年 7月 9日 | ||||
技术文章 | Improving DDR Memory Performance in Automotive Applications | PDF | HTML | 2017年 6月 22日 | |||
技术文章 | Four design tips to obtain 2MHz switching frequency | PDF | HTML | 2016年 10月 3日 | |||
EVM 用户指南 | TPS54116EVM-830 4-A, 1-A, SWIFT™ Regulator Evaluation Module | 2016年 8月 11日 |
设计和开发
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TPS54116-Q1EVM-830 — TPS54116-Q1 汽车类 DDR 电源解决方案评估模块
此评估模块旨在演示使用 TPS54116-Q1 稳压器进行设计时,可减小印刷电路板面积。外部分压器能实现可调节的输出电压。TPS54116-Q1 直流/直流转换器是一款同步降压转换器,旨在为 DDR 存储器终端提供高达 4A 的输出和集成的 1A 拉电流/灌电流 LDO。
TIDA-00530 — 面向基于低功耗 TDA3x 的系统的汽车电源参考设计
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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WQFN (RTW) | 24 | Ultra Librarian |
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