计算工具
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG5200
- 集成 15mΩ GaN FET 和驱动器
- 80V 连续电压，100V 脉冲电压额定值
- 封装经过优化，可实现简单的 PCB 布局，无需考虑底层填料、爬电和余隙要求
- 超低共源电感可确保实现高压摆率开关，同时在硬开关拓扑中不会造成过度振铃
- 非常适合隔离式和非隔离式 应用
- 栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率
- 内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
- 电源轨欠压锁定保护
- 优异的传播延迟（典型值为 29.5ns）和匹配（典型值为 2ns）
- 低功耗
LMG5200 器件集成了 80V、10A 驱动器和 GaN 半桥功率级，采用增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包含两个 80V GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器提供驱动。
GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 CISS 也非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6mm × 8mm × 2mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。
该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，无论 VCC 电压如何，都能够承受高达 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。
该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效操作及小尺寸要求的 应用 而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48V 电压转换为负载点电压 (0.5-1.5V)。
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评估板
LMG5200EVM-02 — LMG5200 GaN 功率级评估模块
80V 10A 功率级 EVM - LMG5200 EVM 板是易于使用且具有外部 PWM 信号的小型功率级。此 EVM 适用于评估众多不同直流/直流转换器拓扑中使用的 LMG5200 功率级的性能。它可用于估测 LMG5200 的性能，以测量效率。该模块能够提供最大 10A 的电流，不过，应该提供适当的热管理（强制通风、以低频率运行等）以确保不超过规定的温度。由于该 EVM 为开环板，因此不适用于瞬态测量。
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评估板
LMG5200POLEVM-10 — LMG5200 GaN 48V 至 1V 负载点评估模块
LMG5200POLEVM-10 EVM 旨在评估 48V 至 1V 应用中的 LMG5200 GaN 功率级和 TPS53632G 半桥负载点控制器。该 EVM 将 48V-1V 转换器作为具有电流加倍器整流器的单级硬开关半桥加以实现。EVM 支持 36 至 75 伏的输入电压和高达 50A 的输出电流。该拓扑有效支持高降压比，同时提供高输出电流和可控性。
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子卡
BOOSTXL-3PHGANINV — 具有基于分流的直列式电机相电流检测的 48V 三相逆变器评估模块
The BOOSTXL-3PHGANINV evaluation module features a 48-V/10-A three-phase GaN inverter with precision in-line shunt-based phase current sensing for accurate control of precision drives such as servo drives.
MathWorks MATLAB & Simulink example models include the following:
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仿真模型
LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)
SNOM478C.TSC (58 KB) - TINA-TI Reference Design
参考设计
TIDA-00909 — 适用于高速驱动应用的 48V/10A 高频 PWM 三相 GaN 逆变器参考设计
低电压高速驱动器和/或低电感无刷电机需要 40kHz 到 100kHz 范围内的更高逆变器开关频率，从而最大限度减少电机中的损失和扭矩波动。TIDA-00909 参考设计通过使用具有三个 80V/10A 半桥 GaN 电源模块 LMG5200 的三相逆变器来实现这一点，并使用基于分流器的相电流感应。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅 FET 快得多，而将 GaN FET 和驱动器集成在同一封装内可减少寄生电感并优化开关性能，由此可降低损耗，进而可缩小甚至消除散热器。TIDA-00909 提供 TI BoosterPack 兼容型接口来连接到 C2000 MCU (...)
参考设计
TIDA-00913 — 具有基于分流电阻的直列式电机相电流检测功能的 48V 三相逆变器参考设计
TIDA-00913 参考设计实现 48V/10A 三相 GaN 逆变器，配备基于分流器的精密直列式相电流感应，从而对精密驱动器（例如，伺服驱动器）进行精准控制。基于分流器的直列式相电流感应的最大挑战之一就是 PWM 开关期间的高共模电压瞬态。INA240 双向电流感应放大器使用增强的 PWM 抑制来克服此问题。此参考设计提供 0 到 3.3V 的输出电压，调节为 ±16.5A，中电压为 1.65V，可在整个温度范围内实现相电流高度准确。TIDA-00913 提供 TI BoosterPack 兼容型接口来连接到 C2000 MCU LaunchPad™ (...)
参考设计
TIDM-02006 — 优于快速串行接口 (FSI) 参考设计的分布式多轴伺服驱动器
此参考设计展示的是基于快速串行接口 (FSI)、使用 C2000™ 实时控制器的示例分布式或分散式多轴伺服驱动器。多轴伺服驱动器用于工厂自动化和机器人等多种应用。凭借每轴成本、性能和易用性等特性，该驱动器受到上述系统的高度青睐。FSI 是一种可靠的成本优化型高速通信接口，具有低抖动，能以菊花链形式连接多个 C2000 微控制器。在此设计中，每个 TMS320F280049 或 TMS320F280025 实时控制器均作为分布式轴的实时控制器，控制电机的电流控制环。单个 TMS320F28388D 控制各轴的位置和速度控制环。上述 F2838x (...)
参考设计
TIDM-02007 — Dual-axis servo drive with fast current loop (FCL) control reference design
This reference design presents a dual-axis motor drive using fast current loop (FCL) and software frequency response analyzer (SFRA) technologies on a single C2000 controller. The FCL utilizes dual core (CPU, CLA) parallel processing techniques to achieve a substantial improvement in control (...)
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| QFM (MOF) | 9 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息：
- RoHS
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