LMG3410R070
- TI GaN 工艺通过了实际应用硬开关任务剖面可靠性加速测试
- 支持高密度电源转换设计
- 与共源共栅或独立 GaN FET 相比具有卓越的系统性能
- 低电感 8mm x 8mm QFN 封装简化了设计和布局
- 可调节驱动强度确保开关性能和 EMI 控制
- 数字故障状态输出信号
- 仅需 +12V 非稳压电源
- 集成栅极驱动器
- 零共源电感
- 20ns 传播延迟确保 MHz 级工作频率
- 工艺经过调整的栅极偏置电压确保可靠性
- 25 到 100V/ns 的用户可调节压摆率
- 强大的保护
- 无需外部保护组件
- 过流保护,响应时间低于 100ns
- 压摆率抗扰性高于 150V/ns
- 瞬态过压抗扰度
- 过热保护
- 针对所有电源轨的 UVLO 保护
- 器件选项:
- LMG3410R070:锁存过流保护
- LMG3411R070:逐周期过流保护
LMG341xR070 GaN 功率级具有集成型驱动器和保护功能,可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越硅 MOSFET,包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低 80% 的零反向恢复以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势支持诸如图腾柱 PFC 之类的密集高效拓扑。
LMG341xR070 通过集成一系列独一无二的特性提供传统共源共栅 GaN 和独立 GaN FET 的 替代产品 ,以简化设计,最大限度地提高可靠性并优化任何电源的性能。集成式栅极驱动器支持 100V/ns 开关(Vds 振铃几乎为零),低于 100ns 的限流可自行防止意外击穿事件,过热关断可防止热逃逸,而且系统接口信号可提供自监控功能。
您可能感兴趣的相似产品
功能与比较器件相同,且具有相同引脚
技术文档
未找到结果。请清除搜索并重试。
查看全部 38 设计和开发
如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。
评估板
LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板,可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量,因为该板是开环板。
仅需要一个脉宽调制输入,即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
用户指南: PDF
子卡
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡
LMG34XX-BB-EVM 是易于使用的输出板,可配置 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板(作为同步降压转换器)。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件开关。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合于瞬态测量,因为该板是开环板。
仅需要单脉冲宽度调制输入,在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,以便允许使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
LMG3410-HB-EVM (...)
用户指南: PDF
计算工具
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
计算工具
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
支持的产品和硬件
产品
氮化镓 (GaN) 功率级
计算工具
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
支持的产品和硬件
产品
氮化镓 (GaN) 功率级
参考设计
TIDA-010062 — 1-kW, 80+ titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and half-bridge LLC with LFU reference design
This reference design is a digitally controlled, compact 1-kW AC/DC power supply design for server power supply unit (PSU) and telecom rectifier applications. This highly efficient design supports two main power stages, including a front-end continuous conduction mode (CCM) totem-pole bridgeless (...)
参考设计
PMP20873 — 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计
Continuous-Conduction-Mode (CCM) Totem-pole power factor correction (PFC) is a simple but efficient power converter. To achieve 99% efficiency, there are many design details that need to be taken into account. The PMP20873 reference design uses TI’s 600VGaN power stage, (...)
参考设计
TIDM-1007 — 交错式 CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
交错连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件,由于具有电源效率高和尺寸减小的特点,因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。为了提高效率,此设计采用了自适应死区时间和切相方法。非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。
参考设计
TIDM-02008 — 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC
此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级,采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流(PFC 和并网逆变器)且使用 LMG341x GaN 器件,可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率,通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数,并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。
参考设计
PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计
此参考设计在使用 C2000™ F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法,这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制,从而在谐振电容器上重新生成电压。与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。
测试报告: PDF
参考设计
PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计
此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法,这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制,从而在谐振电容器上重新生成电压。
与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比,该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。
测试报告: PDF
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
---|---|---|
VQFN (RWH) | 32 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点