LM5111
- Independently Drives Two N-Channel MOSFETs
- Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce Output Current Variation
- 5-A Sink and 3-A Source Current Capability
- Two Channels can be Connected in Parallel to Double the Drive Current
- Independent Inputs (TTL Compatible)
- Fast Propagation Times (25 ns Typical)
- Fast Rise and Fall Times (14 ns and 12 ns Rise and Fall, Respectively, With 2-nF Load)
- Available in Dual Noninverting, Dual Inverting and Combination Configurations
- Supply Rail Undervoltage Lockout Protection (UVLO)ƒ
- LM5111-4 UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A and NFET through OUT_B
- Pin Compatible With Industry Standard Gate Drivers
The LM5111 Dual Gate Driver replaces industry standard gate drivers with improved peak output current and efficiency. Each compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 5-A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Undervoltage lockout protection is also provided. The drivers can be operated in parallel with inputs and outputs connected to double the drive current capability. This device is available in the SOIC package or the thermally enhanced
MSOP-PowerPAD package.
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设计和开发
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评估板
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用户指南: PDF
模拟工具
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PSpice® for TI 可提供帮助评估模拟电路功能的设计和仿真环境。此功能齐全的设计和仿真套件使用 Cadence® 的模拟分析引擎。PSpice for TI 可免费使用,包括业内超大的模型库之一,涵盖我们的模拟和电源产品系列以及精选的模拟行为模型。
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参考设计
TIDM-AUTO-DC-LED-LIGHTING — 面向汽车前灯应用的多通道高密度 LED 控制
此设计采用 TMS320F2803x Piccolo 微控制器,实现了通常适合汽车照明系统的高效率多通道直流/直流 LED 控制系统。此设计支持多达 6 个 LED 控制通道,每个通道具有最高 1.2A 的电流驱动能力。凭借升压和降压双级电源拓扑,此系统可通过 8V 至 20V 的宽输入直流电压范围运行,这非常适合汽车应用。
封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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HVSSOP (DGN) | 8 | Ultra Librarian |
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
订购和质量
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