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DRV8305-Q1

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汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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DRV8305-Q1

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Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.4 Vs ABS (max) (V) 45 Features Current sense Amplifier, LDO, SPI/I2C, Smart Gate Drive, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 150
Rating Automotive Architecture Gate driver Control interface 1xPWM, 3xPWM, 6xPWM Gate drive (A) 1 Vs (min) (V) 4.4 Vs ABS (max) (V) 45 Features Current sense Amplifier, LDO, SPI/I2C, Smart Gate Drive, Watchdog timer Operating temperature range (°C) -40 to 150
HTQFP (PHP) 48 81 mm² 9 x 9
  • 具有符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 环境工作温度范围：
    • 温度等级 0 (E)：–40°C 至 +150°C
    • 温度等级 1 (Q)：–40°C 至 +125°C
  • 4.4V 至 45V 工作电压范围
  • 1.25A 和 1A 峰值栅极驱动电流
  • 智能栅极驱动架构（IDRIVE 和 TDRIVE）
  • 可编程高侧和低侧压摆率控制
  • 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器
  • 三个集成式分流放大器
  • 50mA 集成型 LDO（3.3V 和 5V 选项）
  • 高达 200kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制
  • 能够进行单 PWM 模式换向
  • 用于器件设置和故障报告的串行外设接口 (SPI)
  • 耐热增强型 48 引脚 HTQFP 封装
  • 保护 功能：
    • 故障诊断和 MCU 看门狗
    • 可编程的死区时间控制
    • MOSFET 击穿保护
    • MOSFET VDS 过流监视器
    • 栅极驱动器故障检测
    • 支持电池反向保护
    • 支持跛行回家模式
    • 过热警告和关断
  • 具有符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
  • 环境工作温度范围：
    • 温度等级 0 (E)：–40°C 至 +150°C
    • 温度等级 1 (Q)：–40°C 至 +125°C
  • 4.4V 至 45V 工作电压范围
  • 1.25A 和 1A 峰值栅极驱动电流
  • 智能栅极驱动架构（IDRIVE 和 TDRIVE）
  • 可编程高侧和低侧压摆率控制
  • 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器
  • 三个集成式分流放大器
  • 50mA 集成型 LDO（3.3V 和 5V 选项）
  • 高达 200kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制
  • 能够进行单 PWM 模式换向
  • 用于器件设置和故障报告的串行外设接口 (SPI)
  • 耐热增强型 48 引脚 HTQFP 封装
  • 保护 功能：
    • 故障诊断和 MCU 看门狗
    • 可编程的死区时间控制
    • MOSFET 击穿保护
    • MOSFET VDS 过流监视器
    • 栅极驱动器故障检测
    • 支持电池反向保护
    • 支持跛行回家模式
    • 过热警告和关断

DRV8305-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动应用的 栅极驱动器 IC。该器件提供了三个高精度半桥驱动器，每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。电荷泵驱动器支持占空比为 100% 的低压操作，适用于冷启动条件。该器件最高可耐受 45V 负载突降电压。

DRV8305-Q1 器件具备三个双向分流放大器，支持可变增益设置和可调节偏移基准，可精确测量低侧电流。

DRV8305-Q1 器件具有一个集成稳压器，可满足微控制器 (MCU) 或其他系统的电源要求。稳压器可与 LIN 物理接口直接相连，支持低功耗系统待机和休眠模式。

栅极驱动器在切换时使用自动握手，以防止发生电流击穿。可精确感测高侧和低侧 MOSFET 的 VDS，从而防止外部 MOSFET 出现过流情况。SPI 提供详细的故障报告、诊断和器件配置，例如分流放大器的增益选项、独立的 MOSFET 过流检测和栅极驱动转换率控制。

器件选项：

  • DRV8305NQ：1 级，带有电压基准
  • DRV83053Q：1 级，带有 3.3V、50mA LDO
  • DRV83055Q：1 级，带有 5V、50mA LDO
  • DRV8305NE：0 级，带有电压基准

DRV8305-Q1 器件是一款适用于三相电机驱动应用的 栅极驱动器 IC。该器件提供了三个高精度半桥驱动器，每个驱动器能够驱动一个高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。电荷泵驱动器支持占空比为 100% 的低压操作，适用于冷启动条件。该器件最高可耐受 45V 负载突降电压。

DRV8305-Q1 器件具备三个双向分流放大器，支持可变增益设置和可调节偏移基准，可精确测量低侧电流。

DRV8305-Q1 器件具有一个集成稳压器，可满足微控制器 (MCU) 或其他系统的电源要求。稳压器可与 LIN 物理接口直接相连，支持低功耗系统待机和休眠模式。

栅极驱动器在切换时使用自动握手，以防止发生电流击穿。可精确感测高侧和低侧 MOSFET 的 VDS，从而防止外部 MOSFET 出现过流情况。SPI 提供详细的故障报告、诊断和器件配置，例如分流放大器的增益选项、独立的 MOSFET 过流检测和栅极驱动转换率控制。

器件选项：

  • DRV8305NQ：1 级，带有电压基准
  • DRV83053Q：1 级，带有 3.3V、50mA LDO
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设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

BOOSTXL-DRV8305EVM — DRV8305N 三相电机驱动 BoosterPack 评估模块

BOOSTXL-DRV8305EVM 是基于 DRV8305 电机栅极驱动器和 CSD18540Q5B NexFET™ 功率 MOSFET 的 15A 三相无刷直流驱动级。该模块具有独立的直流总线和相位电压传感以及用于无传感器 BLDC 控制算法的独立低侧电流分流传感。该模块借助 LMR16006 0.6A 降压稳压器为 MCU 提供 3.3V 电源。驱动级受到短路、过热、击穿和欠压等全面保护，并且可通过 SPI 接口轻松配置。

该模块非常适合采用 DRV8305 进行评估和快速开发。它旨在与兼容的 XL LaunchPad 一起工作。BoosterPack 可与 (...)

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
评估板

DRV8305-Q1EVM — DRV8305-Q1 汽车类三相电机栅极驱动器评估模块

DRV8305-Q1EVM 评估模块 (EVM) 是基于 DRV8305-Q1 汽车电机栅极驱动器、TMS320F28027 电机控制微控制器和 CSD18540Q5B NexFET™ 功率 MOSFET 的 4.4V 至 45V、25A、三相电机驱动器和控制系统。利用该 EVM，可以对具有一系列广泛的测试点、接口和可配置性的 DRV8305-Q1 进行简单评估。


该 EVM 具有板载电池反向保护功能、由 TPS7B6933-Q1 LDO 提供的稳压 3.3V 电源、用于所有控制和反馈信号的接口插头以及板载 XDS100v2 仿真器。该 EVM 具有独立的直流总线和相位电压传感以及用于无传感器 (...)

用户指南: PDF
TI.com 上无现货
参考设计

TIDA-00901 — 汽车类 12V 200W (20A) BLDC 电机驱动器参考设计

这是一款适用于 12V 汽车应用（如 HVAC 风机）的三相无刷直流电机驱动器。该参考设计可在 200W 范围内驱动电机，并处理高达 20A 的电流。利用无传感器操作或外部霍尔效应传感器，该设计可灵活用于多种电机。
设计指南: PDF
原理图: PDF
参考设计

TIDA-01330 — 汽车 2 轴电动座椅刷式直流电机驱动器参考设计

TIDA-01330 参考设计为两个独立的刷式直流电机实现驱动电路。它使用高度集成的 2 轴驱动器为汽车电动座椅提供解决方案，从而减少总体物料清单。用于连接到简单微控制器的接口展示了该设计如何减轻控制软件的处理负担。除两个电机的驱动电路之外，该设计还包含电流反馈传感电路和其他诊断功能，以确保可靠的运行故障检测。包含 LED 照明元件的控制电路，并且能够通过任一轴的振动为座椅上的乘客提供触觉反馈。
设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
HTQFP (PHP) 48 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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